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美科学家发明“突破摩尔定律禁锢”的半导体制作新工艺
时间：2009-07-24 22:27:34
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[导读]美科学家发明“突破摩尔定律禁锢”的半导体制作新工艺
美国北卡罗来纳大学与赖斯大学的科学家最近发明了一种新的半导体制作工艺，研究人员称这种发明能让Intel这样的芯片公司“突破摩尔定律的禁锢”，并造出更小更强的处理器。该项发明研究了一种新的硅半导体杂质掺杂方法，科学家们称之为“单分子层嫁接”。过去，半导体是通过向硅晶体内部掺杂杂质而制成的，但随着半导体工艺的发展，晶体管的尺寸也越来越小，这样就很容易出现不同器件之间掺杂度存在差异的情况，造成器件间的性能差异。
为了解决这个问题，这项新发明改变了向半导体中掺杂杂质的方法，改将杂质分子附着在硅晶体的表面，而不是将其注入晶体内部。使用这种方法可以得到与传统制作方法相似的效果，但对纳米级器件则更为适用。
研究人员并称：“对Intel，镁光，三星等半导体厂商来说，我们的发明意义重大，我保证他们已经在尝试使用我们的方案了。”
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