三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片

三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，PC和移动设备。

三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD，64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片，数据传输速度达1Gbps，具有业界最短的500微秒(?)的烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG)，比典型的10纳米(nm)级的平面NAND闪存快约四倍，比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。

三星表示，与之前的48层256Gb V-NAND相比，新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外，64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压，与使用48层V-NAND的3.3伏相比，能量效率提高了约30%。此外，新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星还表示，基于其64层V-NAND的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。