NAND Flash 市场遇变，下跌趋势难反转

近期，价格“跌跌不休”的NAND Flash(闪存芯片)市场，突然遇到了产业变动。7月初，日本经济产业省宣布，自7月4日起，包括“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。

其中，光刻胶与NAND Flash等存储芯片的生产制造相关。有手机从业者曾告诉记者，存储已经超过屏幕、CPU，成为手机最大的成本，存储在手机中的成本达到25%-35%，可见其重要性。

另一方面，6月底，东芝的NAND Flash的工厂突然断电13分钟，至今还未恢复正常运营。这些因素都对接下来NAND Flash的产能以及价格造成影响，因此也有传闻称接下来NAND Flash会涨价。

但是在业内看来，虽然降幅可能收窄，价格下跌的趋势却很难改变。集邦咨询(TrendForce)研究协理陈玠玮告诉记者：“预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”

闪存市场的两起突发

具体来看，一方面日本对出口韩国的半导体管制变得严厉，自7月4日起，韩国的最惠国待遇就被取消了，对于氟聚酰亚胺等三种半导体材料的出口限制上，从原先的免申请出口许可，改为逐案审核，相关审查流程最长将达90个工作日。

据了解，光刻技术是芯片制造中重要的工艺，而光刻胶则是光刻技术实现的关键材料，是涂覆在半导体基板上的感光剂，占芯片制造成本约为7%。在光刻胶这一上游领域，日本企业占据垄断地位。

在NAND Flash市场上，主要玩家有三星、东芝、西部数据、美光、SK 海力士、英特尔，其中三星阵营和东芝阵营占据了半壁江山。而日本的断供，也将影响韩国三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，导致减产。

为了应对这一局面，业内也传出消息称，海力士正在和Intel谈判，或收购大连工厂及3D NAND业务，从而补充产能。此外，韩国产业通商资源部提出了“复兴战略”，加强韩国国内的供应链，预计从2021年起，将对半导体材料、零组件、设备研发投入6兆韩元(约51亿美元)的预算。

另一方面，东芝在6月遭遇断电事故，5个工厂未能幸免，至今还未完全恢复，这也影响了NAND Flash的产能。而受伤的厂区也包括东芝和西部数据的合资厂，西部数据公开表示，约6ExaByte (EB)的产能受到影响。

陈玠玮向记者表示：“对东芝NAND Flash产能影响至少达30%，但预计七月中旬就会恢复生产。”

除了以上的突发事故，另一巨头美光的营收和产能也不理想。受到供大于求的环境背景、以及贸易摩擦的影响，美光2019财年Q3季度中，NAND营收大约占总营收的31%，营收环比下降18%，同比下降25%。为了进一步改善市场供需，美光决定将NAND Flash产出减少比例从原来的5%提高到了10%，还将削减2020年资本支出。

那么，面对今年NAND Flash产能减少的情况，三季度开始产品价格会上涨吗?

下跌趋势难反转

有观点认为，以上这两个事件会对NAND Flash价格产生影响，甚至预计NAND Flash将涨价10%到15%。但是陈玠玮告诉记者：“七月通路Wafer(晶圆)价格报价预计上涨至少10%，但成交价格可能不会上涨这么多，集邦咨询预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”

另一方面，中国国内长江存储也在扩张产能，据悉，长江存储有望在2019年底前在武汉存储基地大规模生产64层3DNAND，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。虽然与国际大厂相比，长江存储的64层3D NAND仍落后，产能不算大，但是差距在迅速缩小，也将对NAND Flash市场的价格产生冲击。

在2017年时，由于闪存等存储芯片价格持续上涨，一度引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。直到2018年，供需关系发生变化，闪存价格一直下跌，2019年跌势继续。