南亚科已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术

近日，南亚科技股份有限公司称，公司已完成自主研发 10 纳米级 DRAM 技术，将在今年下半年试产。顺应 10 纳米制程发展，南亚科今年资本支出金额将高于去年的 55 亿元。据悉，除可改善成本，南亚科成功自主开发 10 纳米制程技术，将有助掌握朝高密度新产品发展机会与技术进展。

南亚科总经理李培瑛表示，南亚科已成功开发出 10 纳米 DRAM 新型记忆体生产技术，使 DRAM 产品可持续微缩至少三个时代。第一代的 10 纳米前导产品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5 将建构在自主制程技术及产品技术平台，2020 下半年后将进入产品试产。

第二代 10 纳米制程技术已开始研发阶段，预计 2022 年前导入试产，后续会开发第三代 10 纳米制程技术。他强调，南亚科进入 10 纳米制程之后，会以自行研发的技术为主，降低授权费用支出，能大幅提升效能。

据了解，全球 DRAM 内存芯片主要掌握在三星、SK 海力士、美光三家公司中，他们的份额高达 95% 以上，关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛，其他公司突围起来很难。

南亚科之前的内存也是来自美光授权，今年他们将转向自研的 10nm 级内存，未来将自产 DDR4/LPDDR4/DDR5 等内存颗粒。

在美光前两年全资收购华亚科之后，南亚科技变成了全球第四大内存厂，不过份额只有 2% 左右，而且技术来源也主要是美光授权，而且技术落后较多，在三星、美光、SK 海力士转向 1X、1Y、1Znm 工艺之后，南亚的主力还是 30nm 等，来自美光授权，这两年才搞定 20nm 内存，也是授权+合作研发的模式，南亚上次自己搞内存研发还是 99nm 时代。

南亚科技股份有限公司成立于 1995 年 3 月 4 日，致力于 DRAM(动态随机存取内存)之研发、设计、制造与销售，并在美国、欧洲、日本、大陆设立营销点，其最大股东为台塑集团之南亚塑料股份有限公司。