避免 7 nm重蹈覆辙 Intel加码研发投资

 英特尔在 14 纳米遭遇困难，目前开发 10 纳米似乎也有类似问题，虽然英特尔从未说明困难之处，但似乎已投入更多资源，试图克服这个难缠的技术瓶颈，务求避免 7 纳米再度重蹈覆辙。

美国财经网站 The Motley Fool 分析英特尔 10-K 年报指出，英特尔 2016 年的技术研发(R&D)支出较前年增加 5%，或相当于 6.12 亿美元，理由之一正是 7 纳米开发成本提高。

英特尔之前投注在开发新芯片制造技术的资源已非常庞大，或许是业界之冠，去年又再往上加码，且明写在年报上，似在昭告天下英特尔非常重视，但至于金额是足够克服障碍，则还有待追踪。

7 纳米预料将是下一个先进制程的决战场，虽然砸钱不代表 7 纳米就能顺利投产，但至少代表英特尔展现一搏的决心，也提高超前同业推出更优异产品的机会。

ICinsigt 日前公布 2016 年半导体研发支出前十大厂显示，英特尔以 127.4 亿美元位居榜首，三星 28.8 亿美元排第四，台积电 22.15 亿美元排第六。