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[导读]FX-7TM产品采用格芯7纳米FinFET工艺,提供业界一流的知识产权及解决方案格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路(ASIC)。FX-7是一个集成式设计平台

FX-7TM产品采用格芯7纳米FinFET工艺,提供业界一流的知识产权及解决方案

格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路(ASIC)。FX-7是一个集成式设计平台,将先进的制造工艺技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合,为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。

基于FX-14的持续成功,凭借业内领先的56G SerDes技术和专用集成电路专长,FX-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在内的全方位定制接口知识产权和差异化存储解决方案,涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、集成式DACs/ADCs和ARM处理器,以及诸如2.5D/3D的先进封装选择。此外,FX-7产品组合可面向以超大型数据中心、5G网络、机器与深度学习应用为代表的低功耗和高性能应用,为其提供全新的设计方法和复杂的ASIC解决方案。未来,FX-7有望被运用于支持汽车ADAS及图像应用的解决方案。

格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan 表示:“随着全球网络中数据流量和带宽的爆炸性增长,我们的客户不断提出新的需求。利用我们最先进的7LP FinFET工艺技术,FX-7产品能为面向诸如数据中心、深度计算、无线网络等新兴领域的客户,提供最先进的低功耗、高性能ASIC解决方案,从而不断提升我们为客户服务的领导者形象。”

“得益于格芯在硅芯片的制造专长与IBM前半导体技术业务的有力结合,格芯的7纳米FinFET工艺技术展示了其先进科技和市场领导地位,”TIRIAS Research 创始人兼首席分析师Jim McGregor,表示,“通过其最新FX-7 ASIC产品,格芯将业务版图从传统代工客户拓展至新一代系统公司,这些公司正寻求将前沿芯片工艺应用于从人工智能的深度学习到下一代5G网络等广泛领域。”

FX-7 ASIC产品设计套件现已就绪,预计在2019年实现量产。

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