• TrendForce集邦咨询: 利基需求升温叠加MLC转单效应，预估2H26 SLC NAND价格将上涨120-170%

    July 13, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给极度短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC供应情况更加紧绷。同时，AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC的需求持续提升，供需缺口急剧扩大，预估将推升2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120-170%，不排除有上修空间。

    TrendForce集邦咨询
    2026-07-13
    NAND AI 数据中心 汽车电子

  • TrendForce集邦咨询: 受长约定价机制影响，预估3Q26 Server DRAM合约价将季增13-18%

    July 9, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，由于部分原厂提早于2026年第二季的报价反映涨幅，加上数家美系云端服务供应商(CSP)已签署多年期长约(LTA)，限制原厂对该类客户的涨价空间，TrendForce集邦咨询预估第三季Server DRAM合约价将季增13-18%。然而，随着供不应求格局延续，后续仍可能出现各家原厂竞相上修报价的情况。

    TrendForce集邦咨询
    2026-07-09
    DRAM CPU Server整机

  • TrendForce集邦咨询: AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，2H26缺货风险提升

    July 6, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新MLCC产业研究，在AI Server加速换代、云端服务供应商(CSP)自研ASIC芯片持续放量的双重驱动下，Murata(村田)、Samsung Electro-Mechanics(三星电机)、Taiyo Yuden(太阳诱电)等三大龙头厂商2026年六月下旬BB Ratio(订单出货比)分别达1.30、1.31、1.25创新高，整体MLCC市场BB Ratio也同步升至1.04。

    TrendForce集邦咨询
    2026-07-06
    供应链 MLCC AI

  • TrendForce集邦咨询：3Q26存储器价格受AI服务器支撑，但消费端压力扩大使得涨幅收敛

    July 3, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增13-18%。NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。

    TrendForce集邦咨询
    2026-07-03
    存储器 AI服务器 NAND Flash

  • TrendForce集邦咨询: 苹果全面调价带来消费端需求变量，预估2026年全球笔记本出货将减少13.6%

    July 1, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新笔记本产业研究，Apple(苹果)全面调涨MacBook售价已改变过去市场认知，即便是高端品牌，现在也必须反映部分成本至终端市场，预计将更加强化消费者对笔记本价格上升的预期心理，导致整体换机需求趋于保守。考量MacBook全面调涨将自第三季反映至终端市场、消费需求趋缓，TrendForce集邦咨询预估，2026年Apple笔记本出货约2,310万台。上半年受稳定的定价策略及MacBook Neo开卖强劲销售支撑，表现优于预期，即便下半年动能放缓，预估全年出货年增幅仍维持双位数成长。

    TrendForce集邦咨询
    2026-07-02
    笔记本 Apple

  • TrendForce集邦咨询: 苹果将导入未来显示色彩基准，加速重构OLED发光材料体系

    June 29, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新AMOLED技术与市场报告，Apple(苹果)计划陆续于MacBook Pro、iPad Pro与iMac等产品，采用未来显示色彩基准BT.2020色域覆盖率达95%的OLED面板。相较目前主流色彩基准DCI-P3，BT.2020对色纯度、光谱控制、发光效率与功耗的要求更高，意味OLED技术竞争重点将不再局限于提升亮度、对比度与薄型化，将进一步朝向色彩纯度与能效平衡。

    TrendForce集邦咨询
    2026-06-30
    苹果 OLED AMOLED

  • TrendForce集邦咨询: AI零部件产能排挤、大厂减产加剧，预估晶圆代工成熟制程涨价效应延伸至2027年

    June 30, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查，随着AI Server、General Purpose Server(通用型Server)与Edge AI周边需求持续升温，晶圆代工产能配置明显朝AI相关产品倾斜，加速改变成熟制程供需结构。八英寸制程受惠于AI相关Power订单增量及TSMC(台积电)、Samsung(三星电子)减产，产能利用率与代工价格强势拉升。十二英寸成熟制程则因TSMC启动减产，有望带动中长期转单效应;加上55nm(含)以上Power IC订单强劲，引发台系晶圆厂减产High Voltage(HV)制程、订单流向陆系厂供应链等效应，以及AI相关新兴应用增量排挤、原物料通膨等因素，导致十二英寸成熟制程代工涨价氛围，预估涨势将延伸至2027年。

    TrendForce集邦咨询
    2026-06-30
    晶圆代工 HV AI

  • TrendForce集邦咨询: 英伟达800V Power Rack成Vera Rubin选用方案，预估至Rubin Ultra世代扩大采用

    June 25, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新AI Server供电架构研究，NVIDIA(英伟达)正积极打造自家800V HVDC Power Rack方案，目标于2026年第三季完成备货，提供有需求的Vera Rubin客户选用，非标准配备。从各机柜的功耗设计来看，NVIDIA 800V Power Rack应将于2027下半年的Rubin Ultra系列后逐步放大采用情形，实际大规模采用目前估计将落在2028年。

    TrendForce集邦咨询
    2026-06-25
    电网 变压器 数据中心

  • TrendForce集邦咨询：日本加速布局全固态电池产业链，下一代电池技术全球竞争加剧

    Jun. 24, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新《全球固态电池产业发展动态季报_2Q26》，日本近年扩大支持下一代蓄电池技术，其经济产业省(METI)2023年起实施《电池供应保障计划》，重点扶持全固态电池(ASSB)、双极型低成本磷酸铁锂(LFP)电池等研发与早期量产。截至2026年第一季，该计划已核准与全固态电池供应链相关的五大项目，合计补助金额达6.6亿美元(约1,057亿日元)。

    TrendForce集邦咨询
    2026-06-24
    供应链 固态电池 磷酸铁锂

  • 开漏输出的电路特性与固有优势

    作为嵌入式领域应用最广泛的低速串行总线之一，IIC(Inter-Integrated Circuit)凭借两根线就能实现多设备通信的简洁设计，被广泛用在传感器、存储器、显示屏等外设的连接场景中。很多开发者接触IIC时最先记住的规则，就是SCL时钟线和SDA数据线必须配置为开漏输出模式，同时要外接上拉电阻。这种设计并非冗余的强制要求，而是IIC总线实现多设备通信、电平兼容、冲突避免等核心特性的底层支撑。要理解这套设计的必要性，还要从开漏输出的电路特性和IIC总线的通信需求说起。

    技术前线
    2026-06-23
    电阻 上拉电阻

  • 一文汇总电感最重要、最常见的作用

    作为电子电路三大被动元件(电阻、电容、电感)之一，电感几乎存在于所有电子设备中。小到手机充电器里的毫米级贴片电感，大到电网输变电系统中的巨型电抗器，看似结构简单的线圈，却凭借"通直流、阻交流，通低频、阻高频"的核心特性，在电路中承担着不可替代的功能。

    技术前线
    2026-06-23
    电容 电感

  • 磁珠的工作本质：电阻特性是滤波的核心

    磁珠是高速电路、电源滤波、射频电路中最常用的被动元件之一，很多设计者对磁珠的认知停留在"滤除高频噪声"的简单功能上，实际应用中往往因为选错参数导致滤波效果大打折扣，甚至出现电源压降超标、信号完整性劣化等问题。正确理解磁珠的各项性能参数，是合理选型、最大化发挥其作用的核心前提。

    技术前线
    2026-06-23
    电阻 磁珠

  • 电源EMI的本质：电磁能量的非期望辐射与传导

    电子设备的EMI(电磁干扰)问题里，电源模块是公认的头号干扰源，小到手机充电器的纹波干扰信号接收，大到工业开关电源的辐射影响周边仪器精度，80%以上的设备电磁兼容问题都和电源的EMI特性直接相关。理解电源EMI的产生机理，是从源头解决干扰问题的核心前提。

    技术前线
    2026-06-23
    电源 EMI

  • 详解MOS管与IGBT的区别

    在电力电子领域，功率半导体是电能变换与控制的核心元件，小到手机快充、电脑电源，大到新能源汽车、光伏逆变器、高铁牵引系统，都离不开这类器件的支撑。其中MOS管(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是应用最广泛的两类全控型功率器件，二者外观相似、功能相近，却在结构、性能和适用场景上有着本质区别，选错器件往往会直接导致设备效率下降、成本升高甚至可靠性故障。

    技术前线
    2026-06-23
    MOS管 IGBT

  • 一文详解STM32单片机Flash的读保护和写保护

    在嵌入式产品的全生命周期里，STM32的Flash就像设备内部的“数字保险柜”，既存放着工程师熬夜写出来的核心固件代码，也保存着设备运行过程中积累的关键校准参数、用户配置数据。

    技术前线
    2026-06-23
    单片机 STM32单片机
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