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[导读]临界导通模式(CrM)在电感电流降到零时开始一个新的开关周期,从而可省去快速恢复二极管。这导致可变开关频率具有较大纹波电流。这种简单而低成本的方案广泛用于包括照明在内的低功耗应用。随着低导通电阻的MOSFET越来越普遍,CrM正用于更高功率的应用中。

认识到需要改进,各国政府和行业协会都制定了书面标准,在某些情况下必须在产品投放市场前就满足这些标准。关注成本或有环保意识的客户在做出购买决定时依赖于这些标准,以确信他们在购买高能效的产品。

需要解决的一个关键领域是功率因数校正(PFC)级,包括电磁干扰(EMI)滤波器。

高能效不仅仅在单个点

对于任何与电源有关的应用,能效一直是个问题,也是制造商在其规格中规定的一个参数。然而,在过去高能效被认为是单个点尽可能最好的数字,通常在满载的75%左右。

因此,制造商将注意力集中在这一负载水平,以提高他们所理解的产品能效。但实际上器件在这个功率水平上只工作一小部分时间。在实际应用中,特别是具有动态负载的应用中,这代表实际能效远远低于预期。

为了解决这种情况,现代能源标准考虑的是整个能效曲线的性能,而不仅仅是曲线上的最佳点。因此,设计人员正在研究如何设计电源转换系统的关键器件,以在低负载和中等负载水平下工作得更好。最关键的一个领域是PFC级和EMI滤波器,二者共消耗高达8%的输出功率。

PFC概述

电力公司的供电电压总是正弦的,但线路电流的波形和相位取决于所供电的负载。对于最简单的电阻负载,负载电流也是正弦的,并且在相位上使功率易于计算。

如果负载中有电抗元件,如电感或电容器,则负载电流保持正弦,但相移与电压有关。在这种情况下,有功功率(也称为“实际”或“平均”功率)像以前一样计算,但要乘以相角(位移因子)的余弦。无功负载越多,有功功率越低。

非线性负载的情况更复杂,例如集成一个二极管桥和大输入电容的典型开关电源的输入级。在这里,电流是一系列浪涌尖峰,计算功率要使用傅里叶变换(Fourier transformation)。

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图1:无功负载(左)和非线性负载(右)的电压(蓝色)和电流(红色)

平均两个正弦波的乘积需要复杂的计算,只有当两个波形具有相同的频率时,才能给出一个非零的结果。但由此可以得出,只有基本分量才能提供真正的功率,而谐波只产生无用的循环电流。

与位移因子类似,失真因子模拟失真(非正弦)波形对实际功率的影响,将实际功率定义为均方根电压、均方根电流和这两个因子的乘积。进一步分析将表明总谐波失真(THD)。

实际上,系统的功率因数只是位移和失真因子的乘积,因此,真正的功率是均方根电压、均方根电流和功率因数的乘积。

校正功率因数的实用方法

涉及PFC的主要标准是EN 61000-3-2 ,这是为了最小化从电网提供的任何电流的THD而编写的,通过定义从第二次到第四十次的所有谐波的最大幅值来实现。PFC的要求也在其他文件中(例如能源之星规范Energy Star)有所提及,许多人认为这导致了PFC技术普遍用于许多应用。

到目前为止,用于满足这些标准的最常见和最有效的PFC是有源PFC。一种典型的方法是在输入整流桥和大电容器之间添加一个PFC预稳压器,以提供恒定的电压,同时确保电流波形是正弦的。

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图2:PFC在二极管桥和大电容器之间

这种方法除了明显提高功率因数外,还有许多好处。从PFC阶段的输出通常是一个相当好调节的400 V,这使得下游转换器的设计更容易,成本更低。另外,无脉冲电流降低了EMI滤波要求,减少了体积和成本.

然而,这种类型的PFC预转换器不能达到100%的能效,因此,确实造成了系统损耗。在任何电源系统中,都有两种主要类型的损耗,开关和导通。导通损耗是两种损耗之和:一种由于桥二极管的正向电压等因素与系统功率成正比,另一种与系统功率平方成正比,从而构成阻抗损耗如MOSFET的导通电阻。在较高的功率水平下,后者对能效的影响最大。

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图3:开关和导通损耗构成电源系统的总损耗

另一方面,开关损耗很大部分与电流成正比,因此与传输的功率成正比。而其它部分是恒定的,与系统的功率无关。它们是由寄生电容和电荷电流引起的,通常与系统的开关频率成正比。随着设计人员增加工作频率以减少系统尺寸,开关损耗成为一个更大的挑战,特别是在较低的功率水平下,它们在能效损耗中占相当大比例。

PFC控制方案

PFC的各种控制方案都是为了满足不同系统的需要而开发的,但总目标都是降低轻载下的开关损耗和较重负载下的导通损耗。

如图所示,有三种基本的控制方案。连续导通模式(CCM)在固定频率工作和限制电感电流纹波,同时支持更高损耗。它通常用于较高功率系统(>300 W)。

临界导通模式(CrM)在电感电流降到零时开始一个新的开关周期,从而可省去快速恢复二极管。这导致可变开关频率具有较大纹波电流。这种简单而低成本的方案广泛用于包括照明在内的低功耗应用。随着低导通电阻的MOSFET越来越普遍,CrM正用于更高功率的应用中。

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图4:初级单路PFC工作模式

频率钳位临界导通模式(FCCrM)是在几年前由安森美半导体推出的,用以限制CrM下的扩频。在频率最高的轻载下,工作模式改为非连续导通模式(DCM),以降低开关损耗。额外的电路解决了DCM中典型的“死区时间”,从而确保当前的波形是正确的形状。

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