[导读]恩智浦半导体4月23日发布了符合汽车行业Q101标准的LFPAK封装(紧凑型热增强无耗封装)功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技术,面积比DPAK封装减小了46%,热性能与DPAK封装近似。
主要特点为:LFPAK封装利用铜
恩智浦半导体4月23日发布了符合汽车行业Q101标准的LFPAK封装(紧凑型热增强无耗封装)功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技术,面积比DPAK封装减小了46%,热性能与DPAK封装近似。
主要特点为:LFPAK封装利用铜片设计,典型厚度为1.1mm,远低于传统的SO8和DPAK封装(恩智浦未透露具体厚度值),减小了导通电阻和MOSFET的开关损耗。
其他特点包括:LFPAK系列产品有5个电压级别:30V、40V、 55V、75V 和 100V;耐受瞬时大电流;100%突波耐受测试;符合汽车AEC-Q101标准,最高工作温度为175°C;支持引线光学检查。
据恩智浦工程师的详细解释:LFPAK封装即Power SO-8封装,比传统的SO-8封装厚度更薄,导通阻抗更低,负荷电流更高。PowerSO-8封装与传统SO8封装在引脚位置与分布上也相同,因此很多时候可以直接在原有的传统SO-8焊点上直接焊接,更好地发挥MOSFET的性能,并获得更优的焊点设计。由于目前业界对PowerSO-8封装还没有一个统一的标准定义,因此各家公司在封装设计上都会一些细微的差别。基于这一原因,恩智浦引入了统一的焊点设计,可以在不改变PCB布图的情况下采用LFPAK封装,或者其他供应商的Power SO-8封装产品。
根据整车厂在汽车电子应用中保持燃油效率、电子稳定性和可靠性的需求,恩智浦推出了上述LFPAK功率SO-8 MOSFET系列产品。
目标应用为:发动机和变速系统控制器;防抱死制动系统;冷却泵;DC/DC转换器;电动助力转向(EPS)和电动液压助力转向(EHPS)系统;电池反向保护;当考虑空间敏感性时,用作通用汽车电子切换元件。(记者 恩平)
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