全硅CMOS振荡器取得革命性进展 或取代石英振荡器

今年年初，IDT耗资7亿美元完成收购全硅振荡器供货商Mobius Microsystem，取得该公司模拟和混合信号频率核心技术。IDT期望以两家公司的结合来扩展其在计时产品领域的领导地位。现如今，IDT带来革命性的计时产品——业界精度最高的全硅CMOS 振荡器IDT3C02，在整个温度、电压和其他因数方面实现了100ppm 总频率误差。

IDT3C02 振荡器采用 IDT 专利的 CMOS 振荡器技术，可产生高精度的片上频率。由于该器件不包含任何运动元件，无需依赖压电或机械谐振器，实现了优良的耐冲击和振动能力。IDT3C02采用可编程架构，支持各种配置选项。此外采用独特的模拟核设计，其功耗低于 2.5mA（空载典型值）。IDT3C02 还具有 200nA（典型值）的低功耗待机模式，以及 100μs（典型值）的快速启动时间。IDT3C02使用业界标准的 5×3.2mm MSL1 塑料 IC 封装。这些功能组合使该器件非常适合功率敏感的设计，允许频繁的开关电源以进一步节省功耗。

IDT硅晶频率控制事业群总经理Michael McCorquodale博士，Mobius Microsystem公司的创始人，也是IDT  CMOS 振荡器技术的创始人，表示IDT3C02 振荡器瞄准的是取代现有传统石英振荡器的市场。Michael解释到，全硅CMOS振荡器具有传统石英振荡器所不及的减少结构复杂度与体积优势，性能已能与石英振荡器相抗衡。传统石英共振器频率最大仅为40MHz，而全硅晶CMOS振荡器频率高达100MHz以上。 此外，相较于金属与陶瓷封装材料，CMOS振荡器的塑料封装，在成本上更具竞争力。

当谈及CMOS 振荡器和MEMS振荡器的发展前景，Michael认为这两类振荡器各有千秋。相比而言，MEMS振荡器准确率更高，成本结构高，更适用于高性能应用领域。CMOS 振荡器在同MEMS振荡器近似准确率时，功耗更低，而其单片、塑料封装等特点使其针对石英振荡器市场上更具竞争力。