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[导读]TTL电路(1)电源电压范围TTL电路的工作电源电压范围很窄。S,LS,F系列为5V±5%;AS,ALS系列为5Y±10%。(2)频率特性TTL电路的工作频率比4000系列的高。

TTL电路(1)电源电压范围TTL电路的工作电源电压范围很窄。S,LS,F系列为5V±5%;AS,ALS系列为5Y±10%。(2)频率特性TTL电路的工作频率比4000系列的高。标准TTL电路的工作频率小于35MHz;LS系列TTL电路的工作频率小 于40MHz;ALS系列电路的工作频率小于70MHz;S系列电路的工作频率小于125MHz;AS系列电路的工作频率 小于200MHz.(3)TTL电路的电压输出特性当工作电压为十5V时,输出高电平大于2.4V,输人高电平大于2.0V;输出低电平小于0.4V,输人低电平 小于0.8V。(4)最小输出驱动电流标准TTL电路为16mA;LS-TTL电路为8mA;S-TTL电路为20mA;ALS-TfL 电路为8mA;AS-TTL电路为⒛ mA。大电流输出的TTL电路:标准TTL电路为48mA;LS-TTL电路为24mA;S-TTL电路为64mA;ALS-TTL电 路为24/48mA;AS-TTL电路为48/64mA。(5)扇出能力(以带动LS-TTL负载的个数为例)标准TTL电路为40;IS-TTL电路为20;S-TTL电路为50;ALS-TTL电路为 20;AS-TTL电路为50。大电流 输出的TTL电路:标准TTL电路为120;LS-TTL电路为60;S-TTL电路为160;ALS-TTL电路为60/120;AS -TTL电路为120/160。对于同一功能编号的各系列TTL集成电路,它们的引脚排列与逻辑功能完全相同。比如,7404,74LS04, 74A504,74F04,74ALS04等各集成电路的引脚图与逻辑功能完全一致,但它们在电路的速度和功耗方面存 在着明显的差别。

CM0S电路(1)电源电压范围集成电路的工作电源电压范围为3~18V,74HC系列为2~6V。(2)功耗当电源电压VDD=5V时,CM0S电路的静态功耗分别是:门电路类为2.5~5μW;缓冲器和触发器类为5~20μW;中规模集成电路类为25~100μW,(3)输人阻抗CM05电路的输入阻抗只取决于输人端保护二极管的漏电流,因此输人阻抗极高,可达108~1011Ω以上。所以,CM0S电路几乎不消耗驱动电路的功率。(4)抗干扰能力因为它们的电源电压允许范围大,因此它们输出高低电平摆幅也大,抗干扰能力就强,其噪声容限最大值为45%VDD保证值可达30%VDD,电源电压越高,噪声容限值越大。(5)逻辑摆幅CM0S电路输出的逻辑高电平“1”非常接近电源电压VDD逻辑低电平“0”接近电源Vss,空载时,输出高电平VOH=VCC-0.05V,输出低电平VOL=0.05V。因此,CM0S电路电源利用系数最高。(6)扇出能力在低频工作时,一个输出端可驱动50个以上CM0S器件。(7)抗辐射能力CMOS管是多数载流子受控导电器件,射线辐射对多数载流子浓度影响不大。因此,CM0S电路特别适用于航天、卫星和核试验条件下工作的装置。CM0S集成电路功耗低,内部发热量小,集成度可大大提高。又因为电路本身的互补对称结构,当环境温度变化时,其参数有互相补偿作用,因而其温度稳定性好。(8)CM0S集成电路的制造工艺CM0S集成电路的制造工艺比TTL集成电路的制造工艺简单,而且占用硅片面积也小,特别适合于制造大规模和超大规模集成电路。

①不允许在超过极限参数的条件下工作。电路在超过极限参数的条件下工 作,就可能工作不正常,且容 易引起损坏。TTL集成电路的电源电压允许变化范围比较窄,一般在4.5~5.5V之间,因此必须使用+5V稳 压电源;CM0S集成电路的工作电源电压范围比较宽,有较大的选择余地。选择电源电压时,除首先考虑到 要避免超过极限电源电压外,还要注意到,电源电压的高低会影响电路的工作频率等性能。电源电压低, 电路工作频率会下降或增加传输延迟时间。例如CM0S触发器,当电源电压由+15V下降到十3V时,其最高 工作频率将从10MHz下降到几十千赫。②电源电压的极性千万不能接反,电源正负极颠倒、接错,会因为过大电流而造成器件损坏。③CM0S电路要求输人信号的幅度不能超过VDD~VSS,即满足VSS=V1=VDD。当 CM0S电路输入端施加的电 压过高(大于电源电压)或过低(小于0V),或者电源电压突然变化时,电路电流可能会迅速增大,烧坏器件,这种现象称为可控硅效应。预防可控硅效应的措施 主要有:·输入端信号幅度不能大于VDD和小于0V;·消除电源上的干扰;·在条件允许的情况下,尽可能降低电源电压,如果电路工作频率比较低,用+5V电源供电最好;·对使用的电源加限流措施,使电源电流被限制在30mA以内。

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