半导体巨头相继投入TSV 3D IC研发行列

DIGITIMES Research指出，随芯片集成度提高，除让芯片设计成本与时间随之增加外，芯片面积亦随芯片复杂度的提升而增加，在终端产品持续朝短小轻薄与节能省电方向发展下，更促使半导体厂商于制程微缩研发的持续投入。

根据摩尔定律(Moore’s Law)的预期，随芯片制程技术升级，芯片密度及产出数量每隔18个月将会成长1倍。然而，随晶圆代工制程跨入纳米级世代以来，摩尔定律进展速度放慢的声音就始终未曾停过。

事实上，从65纳米制程升级至45纳米制程，即长达24个月的时间，从45纳米制程升级至28纳米制程，更是历经33个月的时间，不仅远超过摩尔定律所预测的18个月，且制程升级所需时间也明显拉长。

如何能够More Moore及More than Moore，研发出兼顾高度集成与芯片效能，同时具经济效益的先进制程并导入量产，能够在相同制程下，提供更小IC面积，与更高度的集成，硅穿孔(Through Silicon Via；TSV)3D IC制程技术即成为半导体厂商重要技术研发方向。

也因此，包括三星电子(Samsung Electronics)、高通(Qualcomm)、美光(Micron)、台积电(TSMC)、日月光(ASE)等半导体大厂，皆先后投入TSV 3D IC的研发行列，并各自提出不同TSV 3D IC解决方案，就是希望未来能在TSV 3D IC市场争得一席之地。

在终端产品持续朝向高度集成、小型化方向发展，亦将推动半导体技术更往更高集成度持续投入研发，因此，半导体集成技术将从TSV 2.5D IC技术进展至未来异质集成TSV 3D IC技术，甚至会进一步朝向TSV 3D加系统级封装(System in Package；SiP)或TSV 3D加TSV 2.5D ，乃至TSV 3D加SiP加TSV 2.5D更多元的异质集成封装决解方案发展。