极紫外光刻2015年商用：目标10nm

全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申，极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用，各大半导体厂商都在摩拳擦掌。

ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink公开表示：“NXE:3300B极紫外光刻扫描仪的整合工作正在稳步进行。我们的目标依然是明年达到每小时70块晶圆的产量，2015年还可升级到125块。从过去几个季度的进展看，客户们已经加强了与我们的合作，不断调配投资和资源，准备10nm节点上应用极紫外光刻。”

ASML计划在今年底出货首批三台NXE:3300B光刻机，其中一台年内即可带来收入，另外两台得明年初。2015年的出货量将达到12-30台。

极紫外光刻机最大的问题是光源功率不够，目前只有55W，每小时只能产出43块晶圆。如果要实现明后年的预定目标，特别是后年投入商用，首先得提高到105W，而最终需要多高还没有完全确定。

另据称，尽管经济环境一般，Intel、台积电、三星、GlobalFoundries等客户都加大了半导体设备采购力度，ASML也会在今年第四季度批量出货20nm、16nm、14nm工艺的相关制造设备。