三星7nm工艺将采用EUV技术

三星电子在近日该公司与美国新思科技(Synopsys)联合举办的会议上公开了该公司代工业务的工艺路线图。此次会议与第53届设计自动化大会(53rd Design Automation Conference，DAC2016，2016年6月5日～10日举行)同在美国奥斯汀举行。

会议的主题是“Ready to Designat10nm!Synopsysand Samsung Foundry 10nm Enablement for Tapeout Success”。来自三星的演讲嘉宾是Foundry Marketing Samsung SSI的高级总监KelvinLow。正如会议主题所表达的那样，KelvinLow主要围绕10nm工艺发表了演讲，同时还介绍了10nm之前的14nm以及10nm之后的7nm工艺。

三星首次在DAC的展会上设置展区是在两年前的第51届DAC(DAC2014)上，当时大力宣传了该公司的第一代14nm工艺“14LPE”。之后该公司在2016年1月发布了第二代14nm工艺“14LPP”(参阅本站报道)。14LPP在14LPEFinFET的基础上优化改进而来，提高了性能。推出14LPE之后不久，三星还开发出了14LPC。能够采用低成本工艺生产RF电路，除了中低端智能手机之外，该公司还打算将其应用于IoT用芯片等。

从此次公布的路线图来看，三星在10nm方面将首先推出“10LPE”，然后再推出“10LPP”。关于10LPE，2014年该公司公开了PDK(Process Design Kit，工艺设计套件)，2015年完善了设计流程及Library IP。进入2016年之后，开始进行风险量产。后来，该公司又公开了10LPP的PDK。并打算在2016年内完善10LPP的设计流程及Library IP，并于2016年底开始进行10LPP的风险量产。10nm的正式量产将从2017年早些时候开始。另外，据KelvinLow介绍，10LPE的性能提高到了14LPP的1.1倍，芯片面积缩小至68%，10LPP的性能提高至14LPP的1.2倍，芯片面积缩小至68%。

KelvinLow还表示，10nm工艺时代将会持续很长时间。之后，将会在短时期内采用液浸ArF7nm工艺生产。“就像平面型22nm是过渡至FinFET14nm的中间工艺那样，二者十分相似”。液浸ArF7nm之后，将会迎来真正的7nm时代。真正的7nm工艺将使用EUV(Extreme Ultraviolet)曝光技术。EUV7nm工艺可将液浸ArF7nm工艺使用的约80枚掩膜减少至60枚左右。另外，关于两种7nm工艺，此次的路线图并未给出明确的时间。