三星11nm FinFET欲登场 台积电慌了！

 三星电子宣布，在其晶圆代工产品组合中将增加11nm的FinFET工艺。

公司表示，11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来，它能提供15%的性能提升，减少10%面积，但功耗却保持不变。

三星补充道：使用该制程的产品将在2018年上半年才开始。

这位韩国科技巨头在去年年底就为自己的芯片和客户提供了先进的10nm工艺，目前也在为最新的Galaxy Note 8的处理器使用第二代10nm工艺。

三星表示，10nm工艺是针对旗舰手机的处理器，而11nm则将被用于中高端手机。将为客户提供“更广泛的选择”。

三星正在与台积电进行10nm工艺竞争，并将成为第一个部署7nm制程的公司。

得益于极紫外(EUV)光刻技术的成熟，三星表示其7nm的定价和收益的优势高于台积电。

三星还在计划能在2018年上半年提供8nm制程，该工艺将比台积电7nm工艺在价格竞争上更具优势，而且在技术水准上却很接近。

自2014年以来，三星已经使用EUV光刻制造了20万个晶圆，并包揽了805的256M SRAM产量。

今年5月，三星将芯片制造部门提升为一项业务。它以前是在逻辑芯片业务下生产处理器的。