联电苦追台积电 28纳米Q2开始接单投片

联电苦熬一年多的28纳米制程有重大突破，承接先进网通及高阶手机芯片的关键高介电常数金属闸极（HKMG）制程，已获全球第二大IC设计商博通（Broadcom）认证，第2季开始接单投片，营运出现大转机。

目前28纳米全球晶圆代工市场由台积电独霸，联电先前一度对28纳米进度保守，随着相关制程接单报捷，意味联电将可分食台积电28纳米制程商机，引爆晶圆双雄沉寂多时的高阶制程大战。由于28纳米毛利较高，有助联电本业大跃进。

联电高层证实28纳米HKMG制程良率近期显着提升，但不评论个别客户认证及接单进度。市场预期，未来包括高通、联发科等更多28纳米制程设计的手机芯片，也会陆续转移部分订单至联电。

高通策略暨营运资深副总裁戴维森（BillDavidson）日前与台湾媒体举行视讯记者会时便透露，高通采取更多元的代工来源是既定政策，当时的谈话便暗示一旦联电28纳米HKMG良率提升之后，高通将考虑对联电释单。

设备商透露，联电28纳米HKMG去年积极追赶台积电脚步，并采取以‘T-Like’模式，争取成为台积电客户的第二供应来源，但进展不如预期，也使联电去年28纳米制程营收占比还只是低个位数。

联电近年因高阶制程进度落后台积电，基本面表现平平，上季仅小赚7亿余元，逼近损益两平；去年全年纯益126亿元、每股纯益1.01元。今年初联电执行长颜博文在法说会时，仍对28纳米HKMG制程进展持保守态度。

法人指出，联电去年即已建置28纳米HKMG约1.5万片月产能，随着良率与接单传出喜讯，短期内仍难撼动台积电在28纳米的领先优势，但对联电而言，意义重大，本业将迎接转机。

尤其手机矽智财（IP）授权大厂安谋（ARM）主推28纳米制程架构平台，主攻中低阶智能型手机，获得高通和联发科、博通及迈威尔等手机芯片厂采用，预料第2季开始大量导入。联电28纳米HKMG适时切入28纳米需求爆发的时间点，搭配主力制程40纳米和高压特殊制程订单持续强劲，第2季营收将展现强劲爆发力。

14纳米加速缩短差距

联电28纳米制程获得关键性突破，公司同步启动14纳米FinFET（鳍式场效晶体管）正式试产前的‘风险试产线’建置作业，预计今年底进行风险性试产，明年下半年量产，希望能缩小与台积电的差距。

据了解，联电14纳米以下制程采取加入IBM技术开发联盟，与格罗方德及三星成为同一技术阵营。

联电去年即派出工程团队赴美国参与IBM技术联盟，并在南科设立研发中心，准备将14纳米制程导入在联电南科12A厂生产。

高介电常数金属闸极制程可以有效降低栅极电容，并能让晶体管缩小，容纳更多晶体管数，减少漏电并提升效能。

随着智能型手机追求更轻薄短小，手机应用处理器效能要求更强大、更省电，这项制程即成为承接手机芯片及可编辑逻元件主流技术，更被视为迈向鳍式场效电晶（FinFET）等3D架构的前期指标。