联电55奈米驱动IC出货旺

晶圆代工厂联电今天宣布，55奈米嵌入式高压制程生产的小尺寸面板驱动IC，累积出货已逾1500万颗。

联电表示，客户55奈米小尺寸面板驱动IC产品2012年底首次设计定案(tapeout)，短短1年累积出货1500万颗，展现联电在工程与制造上的实力。

联电指出，位于南科与新加坡的两座12寸晶圆厂皆可提供足够产能支援，与经济规模产量。

因应行动通讯装置显示器朝窄边框与无边框发展，联电持续推进55奈米嵌入式高压制程的静态随机存取记忆体(SRAM)面积极限，目前已可缩小至0.379平方微米。