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集成电路:集团军作战抢占国际前沿

时间：2010-12-17 13:29:40

关键字：集成电路集成电路产业半导体设备集成电路制造

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[导读]经过两个五年计划，在重大科技专项的带动下，我国集成电路产业发展突飞猛进，特别是在65纳米技术代已构建起配套的集成电路装备、工艺和材料技术创新体系，突破了核心技术，部分产品已进入国际市场销售。10年前，清华

经过两个五年计划，在重大科技专项的带动下，我国集成电路产业发展突飞猛进，特别是在65纳米技术代已构建起配套的集成电路装备、工艺和材料技术创新体系，突破了核心技术，部分产品已进入国际市场销售。

10年前，清华大学微电子学研究所教授、中国工程院院士李志坚在接受科技日报记者采访时认为，发展整个集成电路没有上升为国家行为；同时，在发展集成电路方面缺少长期规划，从而制约了我国集成电路产业的快速发展。

近日，记者就这一问题采访中国科学院微电子所所长叶甜春，他表示，过去发展整个集成电路没有上升为国家行为的局面如今得到根本性改变，研究经费与十年前相比，有了几十倍的增长。“现在，国家有两个重大专项用于支持集成电路的发展，另外在通信专项中也有部分用于研发集成电路。这样算起来，有两个半的重大专项了。”

为打造集成电路产业的创新集群和产业集群，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大科技专项将重点放在产业链的构建上。专项在实施中尤其注重顶层设计，进行整体布局、组织与整合。2009年12月，专项成立首个联盟——集成电路封测产业链技术创新联盟。据悉，今后还将陆续成立光刻机、65—22纳米工艺研发和硅材料等联盟，充分发挥“大军团作战”的协同能力，推进我国集成电路封测产业链的形成和产业整体核心竞争力的提升。

由于研发能力的薄弱，通过拍摄和放大已有芯片照片得到版图几何图形的“反向设计”一度在我国集成电路产业中十分流行，由此造成我国集成电路产业自主创新能力停步不前。对此，叶甜春表示，我国微电子产业十年前流行的反向设计方式如今已基本摈弃。“国内目前的专业人才培养也是正向设计方式，现在已看不到什么反向设计的产品，我们比过去更关注知识产权。”

自主研发为国人带来了可喜的实惠。中微半导体设备（上海）有限公司研制开发出具有独立自主知识产权的65—45纳米介质刻蚀机，并完成了65纳米工艺各项优化工作。与世界上最先进设备的芯片加工结果相比，该机单位投资的产出量高35%到50%，芯片加工成本低30%到35%，芯片生产线厂房面积节省35%到50%，而且改进后可以有更先进工艺芯片的加工能力。

目前，该机已成功打入国际市场，在5家亚洲客户芯片生产线投入使用，成功改变了过去几十年先进半导体设备长期被西方发达国家垄断的局面，打破了发达国家在核心半导体制造设备方面对我国的垄断和技术封锁，改变了国际上刻蚀设备市场的竞争格局。

实际上，我国已经有一批集成电路企业走在国际前沿，在研发、设备和产品等各个环节正在阔步前进，部分已进入国际市场打拼。中芯国际“65纳米低漏电产品工艺”整体研发基本完成，并实现小批量量产；北京七星华创的气体质量流量计已向国外燃料电池行业批量供货。由江苏长电和南通富士通牵头承担的集成电路制造关键封测设备、材料应用工程，攻克了10多项重大关键技术，已有20种设备和7种材料产品进入大生产线考核验证，企业成功获得了国际国内高端客户连续增长的订单。

“在微电子领域，我国进步最快的是制造业，与世界先进水平相比，差距正大幅度缩小，虽然总体技术水平还差1—2代，但我们在嵌入式存储器领域、先进封装技术等领域有不小突破。”叶甜春说。

从长远来看，国家在集成电路领域也有着更多考虑。“围绕着国民经济发展和改善民生的重大任务，每一个专项都有明确的目标、任务和时间表，每一个专项的具体目标和任务都经过专家们的反复论证。”科技部重大专项办公室许倞表示。