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[导读]三星电子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布,2014年第1季(1-3月)半导体部门合并营收年增9%(季减10%)至9.39兆韩圜;合并营益年增82%(季减2%)至1.95兆韩圜。三星指出,1-3月记忆体营收年增23%(季减3%)至6.29兆韩圜

三星电子(SamsungElectronicsCo.,Ltd.)29日公布,2014年第1季(1-3月)半导体部门合并营收年增9%(季减10%)至9.39兆韩圜;合并营益年增82%(季减2%)至1.95兆韩圜。三星指出,1-3月记忆体营收年增23%(季减3%)至6.29兆韩圜。

三星指出,1-3月虽是行动装置传统淡季,但伺服器、游戏机绘图解决方案对记忆体的需求仍强劲,该公司也扩大高阶的20奈米DRAM制程产能,进一步改善获利率。另外,NAND型快闪记忆体(NANDFlash)事业虽然面临均价下滑的困境,但在该公司积极因应高容量记忆卡的需求、以及高附加价值的3位元NANDFlash销量攀升的带动下,整个部门的获利仍得以维持。

在系统LSI部门方面,行动应用处理器(AP)需求受到淡季效应影响,使得营收呈现季减。不过,CMOS影像感测器(CIS)的营收却在次世代影像感测器技术「ISOCELL」发表后逐渐攀升。

展望本季(Q2),三星预估伺服器、绘图相关DRAM需求将保持强劲,而PC、行动装置的DRAM需求也会逐渐增温。三星将继续转移至20奈米制程技术、增加高附加价值且具有差异性的产品,藉此提升或利率。另外,资料中心的伺服器DRAM、固态硬碟(SSD)需求应该会持续上升。

展望2014年,三星预估DRAM供需将保持平衡,而资料中心、PC用SSD对NANDFlash则会上升。

另外,三星还表示,透过与专业晶圆代工厂格罗方德半导体(GlobalFoundriesInc.)对14奈米制程技术的合作,中期成长前景将更佳。barrons.com部落格4月21日报导,Susquehanna金融集团分析师MehdiHosseini指出,三星电子将最先进的14奈米FinFET(鳍式场效电晶体)生产技术授权给格罗方德,台积电(2330)未来的产品均价恐将因而走低。

全球第2大记忆体制造商SKHynixInc.甫于日前宣布,在DRAM需求改善、之前因失火而停摆的无锡厂房恢复量产的带动下,第1季(1-3月)净利飙升逾4倍。

韩国联合通讯社(Yonhap)、路透社报导,SKHynix4月24日公布的第1季(1-3月)财报显示:净利由去年同期的1,787亿韩圜狂升348.9%至8,022亿韩圜(7.717亿美元);营收年增34.6%至3.74兆韩圜;营益从去年同期的3,169亿韩圜大增至1.05兆韩圜,为自2013年第3季以来首度站上1兆韩圜大关。根据ThomsonReutersI/B/E/S调查,分析师原本预期该公司Q1营益将达9,710亿韩圜。

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