半导体业难言探底 一线代工厂需求强劲
时间：2012-11-28 14:54:32
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[导读]时至年末，回顾今年的半导体业有点戏剧性变化，直至9月大部分市场调研公司尚认为2012年可能会有5%的增长。然而进入10月以来，风向偏离，开始有部分市场调研公司认为可能会转入负增长，如Gartner于11月预测明年全球半
时至年末，回顾今年的半导体业有点戏剧性变化，直至9月大部分市场调研公司尚认为2012年可能会有5%的增长。然而进入10月以来，风向偏离，开始有部分市场调研公司认为可能会转入负增长，如Gartner于11月预测明年全球半导体业将下降3%，为2980亿美元。尽管目前半导体业还处于下降态势，何时探底尚很难言。以下从投资预测、技术进步及终端市场的需求等方面对增长动能进行分析。
芯片制造设备投资有变
Gartner最新预测表明，2012年WFE销售额达314亿美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新预测表明，如不计分立器件，芯片制造设备投资为350亿美元，相比2011年下降1.9%，但预测2013年可冲高达407亿美元，增长率达16.3%。但Gartner在10月时却给出不同的结果，它认为全球半导体前道设备销售额2012年趋缓，并将延伸到2013年。Gartner的最新预测表明，2012年WFE销售额达314亿美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，为312亿美元。
另外，从先期已公布的投资计划看，台积电已明确2013年投资将高过2012年的83亿美元，可能接近100亿美元。Globalfoundries计划2013年再投资30亿美元，几乎与2012年的投资持平。另外英飞凌计划2013年的投资由原先5亿欧元下调为4亿欧元，而它在2012年投资为8.9亿欧元。
由于产能供过于求，三星亦下调资本支出预算，2012年其半导体事业资本支出将为12兆韩元，较原定15兆韩元缩减20%，与2011年相比也减少7.7%。三星原计划在2012年6月开始动工兴建的Line17生产线，总投资2.25兆韩元，于2013年年底完工，2014年起投产，采用20nm及14nm制程。由于传闻苹果的20nmAP处理器订单将转给台积电，因此该计划已经暂缓进行。另外原计划投资5兆韩元～6兆韩元在西安兴建NAND闪存厂，由于产能供过于求等，计划是否有变尚需后续观察。
工艺制程进步显著
之前认为14nm节点是个坎，如今相信英特尔在2013年时应该有能力实现。
比利时微电子(IMEC)营运长LucVanDenHove指出，半导体工艺制程技术在90nm～65nm时是采用引变硅StrainedSi技术，在45nm～28nm时是采用HKMG技术，而到22nm以下一直到14nm制程时，则会转至3D晶片FinFET技术。
按ITRS工艺路线图显示，2011年为22nm，2013年为14nm。到目前为止能够声言实现的仅英特尔一家，即2011年实现22nm制程工艺，真正量产要延后3～4个季度，因此英特尔的工艺制程技术领先全球2～3年，这与它大量投资研发有关。进入21世纪以来，半导体制程技术的两次革命性突破(2007年32nm的HKMG技术与2011年22nm的3DFinFET技术)，均是由英特尔贡献的，对于延伸摩尔定律又一个10年起了决定性的作用。另外，由于EUV技术的拖后，英特尔已公开表示将不惜增加成本，采用4次图形曝光技术，加上浸入式光刻来实现14nm、甚至10nm节点。之前一直认为14nm工艺节点是个坎，如今相信英特尔在2013年时应该有能力实现。
从代工角度看，前段时期台积电在28nm工艺节点时产能不足与良率问题已获重大突破，据称成品率已冲上90%以上，加上新增产能大量开出，因此台积电开始提供客户大量的waferbuy服务，协助客户有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明显较2012年大增30%～50%。台积电已计划2013年投入80亿美元～85亿美元扩产。据报道，台积电计划2012年年底开始20nm的试生产，2013年小批量生产。台积电董事长张忠谋还透露，台积电的工艺路线图在2013年11月试产16nm的FinFET结构，然后2014年实现量产。由此看出，它从20nm开始，采取务实的策略，先进入过渡节点16nm，然后再真正进入14nm。
Gartner认为，2013年工艺制程向前推进的趋势由40/28nm制程转向32/20nm；电源管理IC将从0.35微米转换至0.13微米；CMOS图像传感器芯片从0.11微米转向65nm；LCD驱动IC从0.13微米转至90nm。显然由于32/20nm工艺制程与掩膜成本过高，近期fabless产品向32/20nm过渡的品种与数量不会剧增，所以一线代工厂除了台积电外，其他如Globalfoundries等的产能扩充计划在2013年有减缓的趋势。
终端电子产品市场有亮点
手机与平板电脑增势明显，成为带动半导体业增长的基础。
手机与平板电脑是明年半导体业增长的基础，仅从手机与平板电脑（Tablet）看，全球手机出货量2012年将达16.9亿部，2013年预测可达18.1亿部，增长率达7.3%。平板电脑的出货量2012年将达1.23亿台，同比增长67%，而2013年为1.70亿台，增长率为39.3%。
代工业如日中天
无晶圆厂模式愈发成功，未来几年一线IC代工厂先进技术产能需求强劲。
在众多顶级IDM厂拥抱fablite（轻晶圆）策略、减缓投资之际，给全球代工厂带来了更多的订单。从近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名预测看出，增长率较快的是3家纯晶圆代工厂。值得注意的是，预计这3家代工厂营收同比2011年平均增长16%，相对于全球半导体市场将衰退2%而言，这实在是令人印象深刻。随着无晶圆厂fabless模式越来越成功，ICInsights预计未来几年对于一线IC代工厂先进技术的产能需求将极为强劲。
据市场调研公司IHSiSuppli于2012年4月的预测表明，全球纯代工市场规模2011年为265亿美元，增长3.1%;预测2012年为296亿美元，增长12%;2013年预测为336亿美元，增长14%。IHSiSuppli在6月预测，全球代工占芯片制造的产能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
芯片制造设备投资有变
Gartner最新预测表明，2012年WFE销售额达314亿美元，同比下降13.3%。
SEMI于今年8月的最新预测表明，如不计分立器件，芯片制造设备投资为350亿美元，相比2011年下降1.9%，但预测2013年可冲高达407亿美元，增长率达16.3%。但Gartner在10月时却给出不同的结果，它认为全球半导体前道设备销售额2012年趋缓，并将延伸到2013年。Gartner的最新预测表明，2012年WFE销售额达314亿美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，为312亿美元。
另外，从先期已公布的投资计划看，台积电已明确2013年投资将高过2012年的83亿美元，可能接近100亿美元。Globalfoundries计划2013年再投资30亿美元，几乎与2012年的投资持平。另外英飞凌计划2013年的投资由原先5亿欧元下调为4亿欧元，而它在2012年投资为8.9亿欧元。
由于产能供过于求，三星亦下调资本支出预算，2012年其半导体事业资本支出将为12兆韩元，较原定15兆韩元缩减20%，与2011年相比也减少7.7%。三星原计划在2012年6月开始动工兴建的Line17生产线，总投资2.25兆韩元，于2013年年底完工，2014年起投产，采用20nm及14nm制程。由于传闻苹果的20nmAP处理器订单将转给台积电，因此该计划已经暂缓进行。另外原计划投资5兆韩元～6兆韩元在西安兴建NAND闪存厂，由于产能供过于求等，计划是否有变尚需后续观察。
工艺制程进步显著
之前认为14nm节点是个坎，如今相信英特尔在2013年时应该有能力实现。
比利时微电子(IMEC)营运长LucVanDenHove指出，半导体工艺制程技术在90nm～65nm时是采用引变硅StrainedSi技术，在45nm～28nm时是采用HKMG技术，而到22nm以下一直到14nm制程时，则会转至3D晶片FinFET技术。
按ITRS工艺路线图显示，2011年为22nm，2013年为14nm。到目前为止能够声言实现的仅英特尔一家，即2011年实现22nm制程工艺，真正量产要延后3～4个季度，因此英特尔的工艺制程技术领先全球2～3年，这与它大量投资研发有关。进入21世纪以来，半导体制程技术的两次革命性突破(2007年32nm的HKMG技术与2011年22nm的3DFinFET技术)，均是由英特尔贡献的，对于延伸摩尔定律又一个10年起了决定性的作用。另外，由于EUV技术的拖后，英特尔已公开表示将不惜增加成本，采用4次图形曝光技术，加上浸入式光刻来实现14nm、甚至10nm节点。之前一直认为14nm工艺节点是个坎，如今相信英特尔在2013年时应该有能力实现。
从代工角度看，前段时期台积电在28nm工艺节点时产能不足与良率问题已获重大突破，据称成品率已冲上90%以上，加上新增产能大量开出，因此台积电开始提供客户大量的waferbuy服务，协助客户有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明显较2012年大增30%～50%。台积电已计划2013年投入80亿美元～85亿美元扩产。据报道，台积电计划2012年年底开始20nm的试生产，2013年小批量生产。台积电董事长张忠谋还透露，台积电的工艺路线图在2013年11月试产16nm的FinFET结构，然后2014年实现量产。由此看出，它从20nm开始，采取务实的策略，先进入过渡节点16nm，然后再真正进入14nm。
Gartner认为，2013年工艺制程向前推进的趋势由40/28nm制程转向32/20nm；电源管理IC将从0.35微米转换至0.13微米；CMOS图像传感器芯片从0.11微米转向65nm；LCD驱动IC从0.13微米转至90nm。显然由于32/20nm工艺制程与掩膜成本过高，近期fabless产品向32/20nm过渡的品种与数量不会剧增，所以一线代工厂除了台积电外，其他如Globalfoundries等的产能扩充计划在2013年有减缓的趋势。
终端电子产品市场有亮点
手机与平板电脑增势明显，成为带动半导体业增长的基础。
手机与平板电脑是明年半导体业增长的基础，仅从手机与平板电脑（Tablet）看，全球手机出货量2012年将达16.9亿部，2013年预测可达18.1亿部，增长率达7.3%。平板电脑的出货量2012年将达1.23亿台，同比增长67%，而2013年为1.70亿台，增长率为39.3%。
代工业如日中天
无晶圆厂模式愈发成功，未来几年一线IC代工厂先进技术产能需求强劲。
在众多顶级IDM厂拥抱fablite（轻晶圆）策略、减缓投资之际，给全球代工厂带来了更多的订单。从近期ICInsight公布的2012全球前20大芯片制造商排名预测看出，增长率较快的是3家纯晶圆代工厂。值得注意的是，预计这3家代工厂营收同比2011年平均增长16%，相对于全球半导体市场将衰退2%而言，这实在是令人印象深刻。随着无晶圆厂fabless模式越来越成功，ICInsights预计未来几年对于一线IC代工厂先进技术的产能需求将极为强劲。
据市场调研公司IHSiSuppli于2012年4月的预测表明，全球纯代工市场规模2011年为265亿美元，增长3.1%;预测2012年为296亿美元，增长12%;2013年预测为336亿美元，增长14%。IHSiSuppli在6月预测，全球代工占芯片制造的产能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。
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