[导读]根据调研机构IHSiSuppli,今年应用在智能型手机上的DRAM芯片出货量将有惊人的3位数成长,超过整体DRAM市场的成长幅度。以1GB等量单位估算,用在智能型手机的DRAM出货量今年预计上升至17亿个单位,较去年6.72亿个单位
根据调研机构IHSiSuppli,今年应用在智能型手机上的DRAM芯片出货量将有惊人的3位数成长,超过整体DRAM市场的成长幅度。
以1GB等量单位估算,用在智能型手机的DRAM出货量今年预计上升至17亿个单位,较去年6.72亿个单位成长157.2%。到2015年之前,出货量将上升至139亿个单位,较今年成长700%。
IHS记忆芯片需求预测部门的分析师CliffordLeimbach表示:「智能型手机内使用的DRAM正快速上升,系因这些是高记亿密度的芯片,且设备销售量也不断上升所致。」
「今年DRAM在智能型手机的成长惊人,与此相较,整体DRAM市场(主要为对PC事业的销售量)的出货量成长仅50%就失色许多。这两者的成长差距解释了DRAM厂商积极竞争手机DRAM市场的原因。虽然DRAM芯片也用于平板计算机和计算机等设备,但智能型手机的DRAM市场仍会持续成长。」
整体DRAM使用量中,今年智能型手机的使用率将从去年的4.4%上升至7.6%,明年提高至10.6%,2013年达13.4%,2014年达14.9%,下一年达16.0%。
至少近来发行的4款智能型手机,经由IHSiSuppli拆解内部后,发现这些设备都搭载更大量的DRAM芯片。
SonyEricsson的XperiaPLAY搭载512MB的DRAM芯片,而三星电子的GalaxyIndulge搭载576MB的DRAM芯片,苹果iPhone4的DRAM芯片达544MB,台湾宏达电的Thunderbolt手机则配备最高等级768MB的DRAM芯片。
这4款智能型手机的内存配置均使用离散DRAM芯片,以及含NAND快闪记忆芯片的标准方式。其他设备的内存配置方式包括使用多芯片封装(MCP),将DRAM和NAND等不同的内存整合成单一芯片等。
这些手机厂在优化表现性能时,仍积极维持整体成本持平。因此这4款手机的材料费用表(BOM)中,内存费用比例平均在15.7%,唯一超过这比例的只有iPhone,iPhone的内存成本占整体BOM表高达22.1%。
但即使手机厂努力缩限内存成本,但智能型手机的DRAM平均密度仍会逐渐提升,预期明年智能型手机DRAM平均密度就会提高至715MB,较今年461MB的水平提高55%,且短期看来,成长无可限量。
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