英飞凌推出适用于汽车电力电子的创新H-PSOF封装

赖品如／台北 英飞凌科技针对要求严格的电动与混合动力车等汽车电子应用，推出兼具高电流与高效率的创新封装技术。全新的TO封装符合JEDEC 标准 H-PSOF(带散热器的塑胶小型扁平引脚封装)。首款采用H-PSOF封装技术的产品为40V OptiMOS T2功率晶体，电流可高达 300A，及超低的RDS(on)值(仅 0.76m?)。

效能优异的电力电子元件可协助汽车系统设计业者符合政府规定，提高汽车燃油效率标准，以及更低的整体排放量，为满足这些标准，需要电流大于200A且RDS(on)小于1m?的功率MOSFET，以降低导通损失并提升整体效率。目前，汽车电子市场尚未出现满足上述需求的MOSFET。

推出H-PSOF封装之后，英飞凌提供电流可高达300A与RDS(on)仅0.76m?的40V功率MOSFET，为业界立下新的里程碑。此外，H-PSOF的整体尺寸和高度较常用的标准D2PAK封装(TO-263)更小巧：H-PSOF封装尺寸减少约20%，且高度几乎只有目前D2PAK封装的一半。

英飞凌汽车电子事业处总裁Jochen Hanebeck表示：「英飞凌开发创新的H-PSOF封装技术，结合在汽车系统领域的专业，更加巩固了英飞凌在汽车和电力电子的领先地位。专为高电流MOSFET开发的创新封装技术，将协助我? 怐漕T车系统供应商客户设计更节能且可靠的汽车应用，以满足降低油耗及碳排放的需求。」

H-PSOF封装让汽车电子制造商能在高电流应用市场中提供更好的产品。高电流应用包括混合动力车的电池管理、电子动力转向 (EPS)、主动式交流发电及其他重载应用，能提供更高的效率与更低的碳排放量。美国市调公司Strategy Analytics最近的研究报告指出，成长中的应用领域包括汽车EPS及启动停止系统等，预估数量将从2011年的4,700万组，成长至2016年的11,000万组，平均年复合成长率达19%。

H-PSOF封装的开发，主要目标是降低封装电阻，并提供比高电流封装D2PAK更优异的电流量。H-PSOF封装亦具备组装及制造优势。其特殊设计确保良好的沾锡性，提供可靠的焊接品质，并可透过表面黏着技术(SMT)生产线其中的自动光学检查(AOI)控