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[导读]富士电机开发完成了用于SiC功率半导体元件(以下:功率元件)的新封装。据富士电机介绍,体积约为原来Si功率元件封装的1/4。另外,通过采用无需引线键合的布线技术、低热电阻的绝缘底板及耐热性较高的封装树脂等,实

富士电机开发完成了用于SiC功率半导体元件(以下:功率元件)的新封装。据富士电机介绍,体积约为原来Si功率元件封装的1/4。另外,通过采用无需引线键合的布线技术、低热电阻的绝缘底板及耐热性较高的封装树脂等,实现了小型化,并提高了可靠性。

富士电机还利用该封装,开发出了并联设置多个SiC肖特基势垒二极管(SBD)的功率模块。耐压为1200V,输出电流为400A左右。通过分散配置SBD,提高了散热性。

富士电机计划利用此次开发的封装,推进配备SiC制SBD及MOSFET的模块开发,并面向太阳能发电系统及混合动力车等多个领域推广应用。另外,富士电机预定2010年度内样品供货SiC制SBD,2011年度内样品供货MOSFET。(记者:根津 祯)

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