PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-碳化硅和氮化镓应用介绍

PCIM Europe德国纽伦堡电力电子系统及元器件展，创办于1979年，每年一届，至今已经有30多年的历史。该展是欧洲电力电子及其使用范畴、智能运动和电能质量最具影响力的博览会，也是全球最大的功率半导体展会。PCIM Europe以其高质量的专业观众，成为享誉电力电子行业的专业国际性展会。展会概念包括四大主题：电力电子、智能运动、可再生能源、能源办理，主要涵盖从半导体、元器件及传感器，到电机和整流器，再到到电源办理系统，模仿和规划软件，以及更多在电力电子范畴的最新发展趋势技能，是展示及发布新趋势和技术的优秀平台。

大功率器件应用

MinDCet 从一开始就专注于高压和大功率 ASIC 设计。多年来，MinDCet 在高压 IC 测试的开发、提供测试和测量系统以及最终生产测试服务方面进行了大量投资。在 PCIM 上，MinDCet 推出了使用 MOSFET 和 GaN 的电机驱动器，以及使用 SiC 的基于模拟的 D 类音频放大器和太阳能逆变器。他们的第一个标准产品是 MDC901，它是一个 200V GaN 栅极驱动器，带有一个半桥评估套件。

Empower Semiconductors 销售和营销高级副总裁 Steve Shultis 指出了电力电子技术的进步及其集成稳压器，以及传统电容器的创新硅基替代品，以及 Empower E-CAP，一种可配置的硅基替代多层陶瓷电容器 (MLCC)。E-CAP 器件的电容密度是领先 MLCC 的 5 倍以上，具有改进的等效串联电感和等效串联电阻特性，可显着降低寄生效应。

Shultis 说：“GaN 和 SiC 技术有很多代表性;我看到了相当多的创新。看到真实的交通也很好，看到人们出去探索也很好。新技术代表。到目前为止，了解电力行业的总体情况对我来说是一次很好的经历。”

Nexperia 推出了用于汽车安全气囊应用的新应用专用 MOSFET (ASFET) 产品组合，其中以 LFPAK33 封装的 BUK9M20-60EL 单 N 通道 60-V、13-mΩ 逻辑电平 MOSFET 为首。该 ASFET 产品组合结合了最新的硅沟槽技术和 LFPAK 封装，使其能够满足最新的可靠性标准。与此同时，Nexperia 宣布推出 14 款用于电源应用的整流器，采用其新的 CFP2-HP(Clip-Bonded FlatPower)封装。提供标准和 AEC-Q101 版本，包括 45-V、60-V 和 100-V 沟槽肖特基整流器(具有 1-A 和 2-A 选项)，包括 PMEG100T20ELXD-Q、100-V、2 -沟槽肖特基势垒整流器。

Power Integrations 宣布推出适用于英飞凌 EconoDUAL 模块的 SCALETM EV 系列栅极驱动器板。该驱动器适用于原始、克隆和新的 SiC 变体，针对 EV、混合动力和燃料电池车辆(包括公共汽车和卡车)以及建筑、采矿和农业设备的大功率汽车和牵引逆变器。新电路板通过了汽车认证和 ASIL B 认证，可实现 ASIL C 牵引逆变器设计。第一个发布的 SCALE EV 系列成员是 2SP0215F2Q0C，专为 EconoDUAL 900-A 1,200-V IGBT 半桥模块而设计。

Power Integrations 汽车业务开发总监 Peter Vaughan 指出，栅极驱动器设计对于电动汽车的性能和可靠性都至关重要。“这款新产品已经完成了开发、测试和资格认证以及 ASIL 认证，大大减少了开发时间和成本，”他说。

Danisense 推出了新的 DT 系列超稳定、高精度(ppm 级)磁通门电流传感器，采用闭环补偿技术，可测量高达 200 Arms 的隔离直流和交流电流。与上一代产品相比，这些器件尺寸减小，体积减少 60%，具有高达 2 MHz 的大频率带宽和 50 A 至 200 A 的初级电流。

国巨集团 EMEA 配电开发现场应用工程师 Oliver Steidl 重点介绍了汽车和能源市场的主要产品，特别是用于高密度封装的陶瓷技术表面贴装电容器以及高效和高密度设计解决方案电源应用。这些电容器非常适用于以高效率和空间为主要考虑因素的功率转换器、逆变器、缓冲器和谐振器。专为恶劣环境设计的薄膜电容器符合 AEC-Q200 标准，符合 RoHS 标准，工作温度范围为 –40˚C 至 110˚C。

意法半导体技术营销经理和功率 MOSFET 专家 Antonino Gaito 强调了 MDmesh M9 功率半导体，这是促进绿色经济的关键超级结 MOSFET 技术。STMicroelectronics 推出了其 MDmesh M9 和 DM9 MOSFET 系列的首批成员。这些器件是 N 沟道超结多漏极硅功率 MOSFET。该公司的目标是用于各种系统的开关模式电源设备，包括数据中心服务器、5G 基础设施设备和平板电视。首批推出的两款芯片是 650-V STP65N045M9 和 600-V STP60N043DM9。STP65N045M9 和 STP60N043DM9 器件的最大 R DS(on)规格为 45 mΩ 和 43 mΩ。ST 声称低 R DS(on)规格最大限度地提高功率密度并实现紧凑尺寸的设计。这些器件还提供低栅极电荷 (Q G )，在 400V 漏极电压下通常为 80nC。

在与 PCIM 并行举行的 Sensor & Test 期间， Analog Devices (ADI) 展馆。ADI 展示了用于汽车电动助力转向的全新集成式真正通电多圈定位解决方案。此外，非接触式交流和直流电流感应解决方案以钳形表、母线和使用各向异性磁阻传感器的 PCB 解决方案的形式呈现。该技术可准确、轻松地检测高达 500 A 的电流范围。采用 ADI 的 MEMS 传感器和以太网技术 (10BASE-T1L) 的其他基于振动的状态监测解决方案包括具有纳瓦功率的三轴加速度计，适用于电池供电的边缘检测应用一直活跃在医疗保健、汽车和工业领域，以及一个完全集成的飞行时间模块，用于在广泛的应用中具有 1-MP 分辨率的深度感测。