SSEC晶圆蚀刻制程平台专用多路径回收排放管路

先进封装与半导体元件、高亮度发光二极体与硬碟制造之单晶圆湿制程系统大厂美国固态半导体设备(Solid State Equipment LLC，DBA SSEC) 发表专为 WaferEtch 平台设计的多路径回收排放管路(MultiPath Collection Drain)。专属的排放管路设计能在相同的反应室内收集、再循环、并隔绝多种化学品，且几乎不会造成化学品的交叉污染，而且能够形成独特的化学品排放路径，并维持SSEC出色的化学品储存值。此外，即时冷却功能可对现今微细特征蚀刻应用提供更佳的制程控制。
形成微细特征需要蚀刻制程(例如凸块底层金属 [UBM])，而其中蚀刻制程涉及多个金属层，并指定使用不相容的化学品，而这些化学品不得接触排放管路内相同的浸湿区域。SSEC的执行长Herman Itzkowitz解释：「过去在单晶圆湿制程机台上容纳两至三种化学品时，要利用收集器下方的导流阀才能完成，而只要化学品在短时间内使用相同路径时，导流阀足以担负这项工作。一般来说，采用这种方法造成交叉污染的机率会小于1%。」现在，全新的排放管路设计采取多重收集法，减少烟雾且几乎能完全排除交叉污染，因而能够在相同的反应室内蚀刻多个金属物。

除了可个别地密封多个排放管路开口以避免交叉污染外，本机台的晶圆卡盘能在多路径回收的过程中保持固定，形成恒定的冷却特性，以便在必要时终止蚀刻制程，改善制程控制。此创新设计使SSEC出色的化学品储存值可达到99.5%的化学品收集。高回收百分比加上降低交叉污染不但延长电解槽的使用寿命，也降低整体的购置成本。多路径回收排放管路目前已是WaferEtch平台的标准配备，而且也能在业内现有之3300系列机台上进行改装。