美林：台积明年上半恐临「星」挑战

认台积攻20奈米目前仍具逐步发展及选择优势 但三星若成功量产14奈米产品 恐冲击台积在行动装置的优势


半导体三巨头制程战，美林证指三星若能在明年上半成功量产14奈米产品，恐冲击台积目前在行动装置的优势。
报系资料照半导体三巨头台积电(2330)、英特尔与三星的制程推进之战升温，美林证券指出，台积电选择循序渐进走20奈米制程，有利逐步发展三闸极(tri-gate)电晶体FinFET元件技术的发展，与提供更多客户制程选择，但英特尔与三星都选择直接跃进至14奈米FinFET技术，若三星能在明年上半年成功量产此项技术产品，恐将冲击台积电在行动装置目前具有的优势。
美林证券指出，半导体巨头在20奈米与FinFET技术竞争态势将升温，台积电预计将在明年量产20奈米产品，并在2015年量产16奈米FinFET产品，而英特尔与三星目标则是分别在今明两年量产14奈米FinFET技术产品，从目前状况来看，台积电将可望在明年初获得苹果转单而持续增加占有率，但美林证券也不讳言，若三星成功在明年上半年量产14奈米FinFET，则可望取得竞争优势。

对于台积电采取稳扎稳打不跳过20奈米策略，美林证券分析，台积电此举将能同步学习与发展FinFET技术，并且可望以20奈米分食苹果单，加上可以提供客户更多元与平顺的制程技术选择。

不过，除了积极切入晶圆代工领域的英特尔已具备14奈米的技术优势外，苹果单遭抢的三星也同样打算以直接推进14奈米方式大跃进，三星已发布成功与ARM开发出14奈米FinFET技术产品，目标将在明年上半年放量，美林证券表示，若三星此目标成功达成，将在产品成本与效能上具有更多优势，恐冲击台积电目前在行动装置市场的优越地位。