联电/星科金朋展示全球首件开放式供应链3D IC

联电 (2303)与新加坡半导体封测厂商星科金朋( STATS ChipPAC )今(29日)共同宣布，展示全球第一件在开放式供应链环境下合作开发的内嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技术。联电指出，所展示的3D晶片堆叠，是由Wide I/O记忆体测试晶片和内嵌TSV的28 奈米微处理器测试晶片所构成，并且达成封装层级可靠度评估重要的里程碑。此次的成功，证明了透过联电与星科金朋的合作，在技术和服务上结合晶圆专工与封测供应链，可望顺利实现高可靠度3D IC制造的全面解决方案。
星科金朋技术创新副总Shim Il Kwon表示，晶片整合层次提升的趋势正快速演进当中，而3D IC技术在增进IC功能上势必扮演不可或缺的角色，实现的模式也将多元化。在开放式供应链的合作模式下，晶圆专工业尖端的TSV、前段晶圆制程可以与封测业高度创新的中段、后段3D IC堆叠封测制程整合成互补的完整平台，为半导体市场驱动可靠的3D IC解决方案。而星科金朋很高兴联电作为晶圆专工伙伴所做的承诺与投入，并期待双方在未来能更进一步合作。此次推出的解决方案平台，将可协助客户掌握新市场契机。
联电先进技术开发处简山杰副总则表示，认为3D IC无需局限在封闭的商业模式之下开发，因此联电致力与所有主要的封测伙伴合作开发3D IC，并且都有相当程度的进展。他指出，联电与封测领导厂商，例如星科金朋之间的合作成果，可说更加确立3D IC开放式供应链的运作方式。对3D IC客户而言，此模式在开发与执行过程中，可让晶圆专工与封装测试厂商可以充分发挥各自的核心优势，与封闭式3D IC开发模式相比，客户将受惠于更高的供应链管理弹性，以及技术取得更加透明等优点。
联电与星科金朋经验证的3D IC开放式供应链，为业界供应链间的合作，建立了实现共赢的重要范例与标准。在此一合作开发计画中，联电所提供的前段晶圆制程，包含晶圆专工等级细间距、高密度TSV制程，可顺畅地与联电28奈米Poly SiON制程相整合。此专案获取的know-how也将运用于联电28奈米High-K/metal gate制程。而中段与后段制程部分，则由星科金朋执行晶圆薄化、晶圆背面整合、细微线距铜柱凸块，与高精密度晶片对晶片3D堆叠等。