ARM与Cadence流片首款面向三星工艺的14纳米FinFET测试芯片

ARM与Cadence设计系统公司日前宣布流片首款14纳米测试性片，应用高性能ARM Cortex-A7处理器，这是ARM所推出的能耗效率最高的应用处理器。该芯片使用完整的Cadence RTL-to-signoff流程进行设计，是首个面向三星14纳米FinFET工艺的芯片，能加快向高密度、高性能与超低功耗SoC的不断迈进，满足未来智能手机、平板电脑和其他高级移动设备的需要。
除了ARM Cortex-A7处理器之外，该测试芯片还包含ARM Artisan标准单元库、新一代存储器，以及通用型IO。该测试芯片是使用完整的Cadence RTL-to-signoff流程进行设计的，包括Encounter RTL Compiler、Encounter Test、Encounter Digital Implementation System、Cadence QRC Extraction、Encounter Timing System和Encounter Power System。这一成果是在FinFET技术上实现基于ARM技术的SoCs设计的系统方案的一部分。

“这是一个重要里程碑，我们会努力帮助我们的晶片合作伙伴，保持在低功耗领域的领先地位，在未来的创新、高能效移动产品中继续拔得头筹。”ARM物理IP部门副总裁兼总经理Dipesh Patel博士说，“在三星先进低功耗生产工艺上流片ARM最高能效的应用处理器，靠的是尖端技术与研发实力，以及与三星和Cadence及早且深入的合作。”

“Cadence的先进工艺节点设计流程，加上我们与ARM和三星的合作，对半导体公司14纳米FinFET工艺的相关设计至关重要，”Cadence硅实现部门研发高级副总裁Chi-Ping Hsu博士说，“我们的共同目标是帮助客户获得设计最先进技术的竞争优势与利益。”

“终端客户对更好、更快、网络化程度更高的设备需求量越来越大，”三星电子设备解决方案系统LSI底层架构设计中心高级副总裁Kyu-Myung Choi博士说，“与ARM和Cadence的合作让我们得以加快创新，帮助三星开发这种面向移动多媒体应用的新工艺技术。”