TSMC展望7nm工艺:450mm晶圆+极紫外光刻

【IT168 应用】台积电近日对“遥远”未来的半导体技术进行了展望，再次强调了450毫米大尺寸晶圆、极紫外(EUV)光刻技术的重要性，声称7nm工艺绝对离不开它们，甚至10nm的时候就需要。

台积电CEO兼董事长张忠谋指出：“极紫外光刻和450毫米(晶圆)对我们的10nm以及更高级工艺来说是非常必要的……在我看来，即便10nm不一定需要，极紫外也是经济地实现7nm的必由之路。就算在10nm阶段，如果能有高产出量的极紫外，成本也会大大降低。当然了，我们可以使用双重、三重乃至是四重图案曝光，但这哦能免则免。这取决于(荷兰ASML)高产量极紫外。”

目前，ASML的六台预产型NXE:3100极紫外光刻系统每小时能产出最多7块晶圆，使用的是11W光源。今年夏天，ASML、Cymer(已被前者收购)已经联合取得了重大突破，在实验室内证明如果换成30W光源，NXE:3300B系统每小时能产出18块晶圆。ASML的最终目标依然是105W光源、69块晶圆每小时，并希望能在2014年实现投产。

根据路线图，台积电将在2016-2017年试产450毫米晶圆，然后2018年开始商业性量产。具体搭配的工艺节点没有明示，按时间算应该是成熟的10nm，或者初期的7nm。

张忠谋强调说：“450毫米(晶圆)将是降低成本的又一助推。我觉得450毫米(晶圆)会在7nm工艺上引入，也可能更早。Intel的计划应该是10nm，但我的感觉更倾向于7nm。”





台积电

张忠谋还透露，台积电最近已经在台湾春安买下了一块14万平方米的地皮，距离新竹科技园大约20分钟车程，将用来建造一个特殊的研发中心，试验450毫米晶圆和7nm工艺。