紧追台积电格罗方德推14奈米结合20奈米LPM
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不让台积电(2330-TW)(TSM-US)专美于前。GLOBALFOUNDRIES(格罗方德)今(21)日宣布推出专为成长快速的行动市场所设计的新技术14nm-XM,加速其顶尖的发展蓝图并采优化新世代行动装置的FinFET电晶体架构;并结合将量产的20奈米LPM制程。
该公司说明,推出的14nm-XM技术,将为客户提供3D「FinFET」电晶体的效能及能源优势,不仅可降低风险,更能加快上市时间,从而帮助无晶圆厂生态体系维持行动市场的领导地位的同时,开发出新一代的智慧行动装置。
XM 是「eXtreme Mobility」的缩写,为业界最顶尖的非平面式架构,真正为行动系统单晶片(SoC) 设计做了优化,提供从电晶体到系统层级的完整产品解决方案。在20nm技术节点,相较于目前的2D 平面式电晶体,这项技术预计可望提升40% - 60%的电池使用寿命。
14nm-XM采用模组化的技术架构,完美结合了14nm的FinFET 元件与GLOBALFOUNDRIES 公司即将量产的20nm-LPM 制程技术。运用成熟的20nm-LPM技术,让想利用FinFET SoC 优势的客户,能以最快的速度顺利转移。
值得注意的是,GLOBALFOUNDRIES技术研发工作已展开,矽晶片也已透过位于纽约萨拉托加郡的晶圆8 厂进行测试。初期制程设计套件(PDKs) 现已开始提供,并预计将于2013 年可提供客户产品投片。
GLOBALFOUNDRIES 技术长Gregg Bartlett 表示,GLOBALFOUNDRIES 投入FinFET 研发已超过10 年,将以此为基础让这项技术得以进入生产阶段。有信心透过这项深厚的基础将可让我们带领业界进入FinFET 的量产阶段,就如同在高介电金属闸极(HKMG) 技术领域的成就。