台积电：18吋晶圆估2018量产EUV于10nm导入

国际半导体展SEMICON即将于明(5日)开跑，并于今日举办展前记者会，包括台积电 (2330)研发副总林本坚、台积电营运/12吋厂副总王建光(见左图)均出席，说明未来台积电于先进制程的发展布局。王建光指出，顺利的话，台积电于2018年就能开始量产18吋晶圆，而切入的制程则会是10 奈米。
王建光表示，今年可说是推动450mm(即18吋)晶圆兴奋的一年，主要是今年初全球450mm联盟成立，包括英特尔、三星、台积电、IBM、GlobalFoundries等5大半导体厂商均加入，每家企业并贡献20位技术专家，到纽约参与450mm晶圆的讨论，希望以最经济、有效的方式来为450mm建立新的标准，对未来规格的制订尽快形成共识，期待将来450mm一生产「一枪就能中的」。
而关于台积电日前入股ASML，对18吋晶圆的生产推动助益如何？王建光则是指出，希望于2015年初能够取得EUV(极紫外光微影技术)的Demo Tool，而在2016-2017年渐渐建立起450mm的上下游供应链，顺利的话，台积电于2018年就能开始量产18吋晶圆，而切入的制程会是10奈米。
而林本坚也进一步解释，目前台积电规划中的制程演进，是从28奈米，依序走到20奈米、16奈米、10奈米，现阶段20奈米进度顺利，已接近量产阶段。惟他也坦言，台积电原本预估在20奈米制程就要采用EUV技术，但摩尔定律不断滚动，因此「等不及」，现在20奈米仍采用双重曝光技术(Double-patterning)生产，而下一世代的16奈米FinFET制程估计也还会持续采用双重曝光技术。
林本坚指出，毕竟双重曝光技术仍相当昂贵，台积电原本期待EUV的选项能给公司「带来解脱」，但目前技术还不成熟，也因此他认为，EUV技术在10奈米的时候再导入可能性较高，而多重曝光(multiple-patterning)也会是另一个选项。