3D晶体管初揭秘 英特尔马宏升IDF演示原理

第1页3D晶体管初揭秘 英特尔马宏升IDF演示原理
2012年英特尔中国IDF信息技术峰会现场，中国区总裁马宏升为现场的听众详细介绍3D晶体管原理以及技术应用。3D晶体管技术将被应用在第三代智能酷睿处理器中，而它的众多新特性也是英特尔未来战略的关键所在。

英特尔中国区总裁马宏升
英特尔第三代智能酷睿处理器中将应用最新的22纳米技术和3D晶体管技术，而3D晶体管技术会直接为用户带来不一样的体验效果，不论是在功耗还是在集成度上将提升到一个不一样的档次。

马宏升先生现场用模型详解3D晶体管技术原理

现场PPT演示3D晶体管技术工作原理
IDF现场马宏升用两个模型为听众演示2D晶体管技术和3D晶体管技术有哪些不同之处，从现场模型中可以清楚的看到所谓3D晶体管技术，是在其原有的2D晶体管电路上层开辟出一条三维空间。通过一些列的复杂工作原理，为二维空间提供另外一条可用电流通道，从而实现更为高度的集成化规模。

采用3D晶体管技术性能提升样图
采用3D晶体管技术的第三代智能酷睿处理器将会比第二代智能处理器性能提升30%，而功耗却降低了50%。虽然只是官方PPT演示内容，不过从英特尔一贯的谨慎态度分析，这些演示的数据应该不会有太多出入。