高通下单 联电拉高资本支出

晶圆代工厂联电昨（8）日召开法说会，决定调升今年资本支出至20亿美元，让与会法人大感意外。联电执行长孙世伟表示，因为看好行动装置芯片需求，且为了承诺客户提供足够的40纳米及28纳米产能，所以才决定提高今年资本支出。

据了解，联电拉高资本支出，主要原因就是获得高通、德仪大订单。

联电去年原订资本支出为18亿美元，但实际支出为16亿美元，其中2亿美元递延到今年，联电因获得高通及德仪等大客户行动装置芯片订单，要建置足够的40纳米及28纳米产能，所以今年资本支出合计将拉高到20亿美元、年增25％。

法人表示，相较于台积电将资本支出由去年的72.86亿美元，调降到今年60亿美元，减幅约达18％，联电在景气不确定性仍高的此刻，逆势拉高资本支出，代表联电已成功提高行动装置芯片的渗透率，对订单掌握度也愈来愈高。

孙世伟昨天表示，联电乐观看待未来移动通信与运算市场的高阶芯片需求，为积极掌握这一绝佳的机会，完整布建40纳米及28纳米解决方案，持续与领先客户合作以争取更多旗舰产品，并承诺提供充分产能，所以今年资本支出将增加到20亿美元。

孙世伟强调，联电并不盲目扩充产能，此投资计划经过审慎评估，完整考量联电在不同阶段下高阶制程成熟程度，以及客户产能需求，以现阶段28纳米与客户的合作进展及强烈需求，相信在量产技术就位后将带来丰厚的收获。

联电预估，今年底40纳米占营收比重将达15％，28纳米亦可达到5％，联电已完成10项28纳米芯片设计定案（tape-out），其中一颗28纳米的ARM架构应用处理器已开始送样。据了解，这颗芯片是德仪最新款OMAP 5多核心应用处理器。

另外，联电也开始布建2.5D矽中介层（Interposer）解决方案，并为客户完成40纳米及28纳米制程矽中介层设计定案。孙世伟表示，联电与封测厂将建立开放式技术平台，以提供最适切的服务，与尔必达及力成合作的直通矽晶穿孔（TSV）技术已有很好的成果。