国际大厂大砍资本支出 台积联电利多浮现

由超微(AMD)转投资的晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)敲定今年资本支出约30亿美元，比去年大减44.4%，为近期首家发布2012年资本支出的晶圆代工厂。

市场解读，格罗方德大降资本支出，有助缓和12寸投资产能过剩疑虑，先进制程价格压力下降，加上景气首季触底可期，为台积电（2330）、联电带来潜在利多。

格罗方德执行官马诺查（Ajit Manocha）参加美国消费者电子大展（CES），如上表示。外电引述他的话说，今年格罗方德将投入30亿美元资本支出，加强纽约厂晶圆设备的建设，纽约厂以40、28纳米以下先进制程为主。

格罗方德是全球第三大晶圆代工制造商，被台积电董事长张忠谋视为眼中的竞争对手之一，去年该公司为了卡位先进制程，拉高资本支出至54亿美元，比2010年大增一倍，资本支出规模更连续两年领先二哥联电。

这几年晶圆代工厂为卡位先进制程，陷入大规模投资竞赛，尤其28纳米投资金额高，除了格罗方德去年倍增资本支出，台积电去年调降后的资本支出73亿美元，也是公司历史新高，至于三星、英特尔去年资本支出分别为92亿美元、90亿美元，台积电居全球第三大资本支出半导体厂。

市调机构顾能研究总监王端曾指出，各大晶圆代工厂角逐28纳米制程的结果，将使晶圆代工产能利用率面临过渡阶段的尴尬期，他担心今年全球12寸晶圆产能过剩。

格罗方德每年1月初会公布年度资本支出，随著景气转缓，格罗方德今年大降资本支出，半导体界认为可望纾解市场对产能供过于求的疑虑。

台积电18日将在法说会上公布今年资本支出，预估比去年的73亿美元低一些，法人圈预估，台积电2012年全年资本支出约60亿至65亿美元之间，降幅一成内，最乐观者上看70 亿美元。

英特尔今年资本支出也传出降至50亿美元，韩国可能是今年晶圆厂资本支出唯一持续成长的地区，日前国际半导体设备暨材料协会（SEMI）表示，韩国部分最主要的贡献者来自三星电子，预估三星今年资本支出103亿美元，较去年成长11.9%。