制程缩微趋势夯 汉微科电子束检测持续成长

晶圆检测设备厂汉民微测科技(汉微科：3658)看准晶圆制程微缩趋势，传统光学检测上将遭遇到物理极限，率先开发电子束(E-Beam)检测技术，自2003年正式成立以来历经6年亏损，在去(2010)年顺利由亏转盈；除出货给台积电(2330)、Samsung等晶圆大厂之外，汉微科更在今年敲入美商Micron的检测设备供应链，法人估汉微科今年全年EPS将有机会超过13元水准。
汉微科成立于2003年，看准晶圆制程缩微趋势方兴未艾，传统的光学(可见光与不可见光)检测设备将不敷制程持续缩微化的晶圆厂所需，因此从成立以来即锁定电子束检测技术持续开发，在2004年透过并购美商Hermes Micronvision Inc.取得核心技术，并在同年开发、售出第一台自制的电子束检测设备，打破过去由美、日大厂垄断的电子束检测设备市场。
随着晶圆厂大力推动将制程缩微到45奈米以下的阶段，传统检测设备所采用的可见光、紫外光(UV)、深紫外光(DUV)技术，受限于物理限制，将无法因应晶圆内部孔隙缺陷(via defect)检测所需，因此精度更高的电子束检测技术，就成为下一个世代的晶圆检测设备技术趋势所在。
电子束检测技术，乃是透过电子束激发晶圆表面电子，并以电子侦测器搜集资讯、制作晶圆表面微观影像后进行比对，判断晶圆是否在制造过程中有产生缺陷。对于目前晶圆厂纷纷将制程转移至45奈米的趋势，电子束检测技术将可确保在高精密度的晶圆制程中，产品良率仍能获得保证。
汉微科从2004年推出第一台电子束检测设备以来，已经取得71项有关检测原理、制程、演算法的专利。其中，由于演算法直接决定了电子束检测机台的扫描敏感度与效率，汉微科的演算法专利，亦确保了其较同业产品更佳的运作效能。
汉微科的电子束晶圆检测设备所采用的电子枪、电子模组、供电设备等重要零组件，均是自行研发、生产。在半导体制程持续缩微至40奈米，甚至2012年28奈米就可望成为制程主流的趋势之下，全球晶圆厂对于电子束检测设备的需求，一年将以增加60台的速度稳健成长，汉微科亦将以其领先业界的技术，持续成长。
汉微科成立以来，因机台开发、推动行销的发酵速度较慢，到2010年上半年为止都仍陷于亏损，不过2010年下半年在台积电、Samsung等大客户展开扩厂动作支撑，汉微科在2010年下半年获利高达6.54亿元、半年EPS高达15.52元，顺利推升全年获利转亏为盈，去年全年获利为2.51亿元，EPS为5.69元。
而今年上半年，汉微科营收为11.04亿元，较2010年同期的6383万元暴增16倍，毛利率66.7%，营益率27.5%；税前盈余2.85亿元，税后盈余2.61亿元，EPS为4.35元。由于汉微科也已顺利打入美商Micron、韩商Hynix的设备供应链，客户结构涵盖全球半导体大厂，随着下半年机台集中出货、认列营收，法人看好汉微科下半年获利可较上半年翻倍，全年EPS可望超过13元。
汉微科的检测设备技术目前已涵盖90奈米、65奈米，及45奈米制程的检测设备开发与量产，并开始朝32、22奈米以下制程的检测机台推进，而在客户开发方面，2012年将锁定IBM、Global Foundry等半导体大厂，估可分散客户集中风险。