GTC技术大会GlobalFoundries秀路线图
时间：2011-09-17 08:35:00
[导读]秋天真是一个收获的好季节，而IT巨头们似乎也都看准了秋天所寓意的收获，因此争相在秋季召开各自的“武林大会”，比如说英特尔的秋季IDF，又比如说微软的BUILD大会，再比如说稍后的苹果大会……当然我们现在要谈的是
秋天真是一个收获的好季节，而IT巨头们似乎也都看准了秋天所寓意的收获，因此争相在秋季召开各自的“武林大会”，比如说英特尔的秋季IDF，又比如说微软的BUILD大会，再比如说稍后的苹果大会……当然我们现在要谈的是原AMD制造部门拆分出来的Global Foundries，该公司近日在宝岛台湾举办了2011年的全球技术大会（Global Technology Conference 2011,GTC2011），该大会举办地点在新竹。事实上与数周前GlobalFoundries在Santa Clara所宣布的内容相比，在GTC2011大会现场，GlobalFoundries的展示并无太多突破，但是毕竟我们可以直观感受到GlobalFoundries未来的路线图了，这是值得庆祝的。
由于全球经济疲软以及市场需求不明等因素，当前的半导体代工行业应该说风险不小。不过从1980年代至今，半导体行业已经由150亿美元的规模发展到3140亿美元的规模了，而且预计未来还将继续增长，因为我们正趋向引入越来越多的互连设备。GlobalFoundries公司市场营销部门副总裁Jim Kupec提到，今天的世道对于新设备最大的推动力往往来自年轻人，虽然这可能并非全部的事实，但是目前确实越来越多的产品是针对年轻人市场的。
这就是说，GlobalFoundries并不打算完全地放慢其投资脚步，因为该公司正忙于在所有旗下的设施进行投资。就目前的情况而言，GlobalFoundries公司的纽约工厂已经提前两个月进入了“设备准备”阶段，而今年之内该公司应该可以在纽约进行试生产，当然在明年年初之前此工厂全面投产的可能性不大。另外在德国的Fab 1工厂今年早些时候也已经开始量产32纳米的AMD处理器芯片，同时其还在进行28纳米量产测试，预计在不远的将来GlobalFoundries的Fab 1工厂将可以过渡到28纳米制造工艺。在新加坡的Fab 7工厂，目前GlobalFoundries已经完成了升级，并且可以生产40纳米到65纳米的半导体芯片，并且最终该工厂还将进入到300mm晶圆领域。
当然我们事实上更关心的是GlobalFoundries的未来路线图。到2012年，GlobalFoundries预计将开始量产其28纳米产品，甚至还可以初期量产部分20纳米产品，而20纳米的初期量产应该会在美国的Fab 8工厂。更进一步上半年，GlobalFoundries预计将提升Fab 1，Fab 7以及Fab 8等工厂的产能，因为该公司预计所谓领先尖端技术（65纳米及其以下）领域的需求将会增长，而这也是GlobalFoundries希望获得70%营收比例的一个领域。
GlobalFoundries还解决了其高K金属栅极制造工艺技术领域的一些问题，此前一些外行观察者曾一直死抓这一点不放。目前GlobalFoundries已经生产出了2GHz主频的ARM Cortex-A9测试芯片，该芯片采用了其28纳米SLP技术，并且在28纳米HPP制程下该处理器甚至可以达到3GHz主频。除此之外，AMD的A系列Fusion处理器也在采用GlobalFoundries的HKMG制造工艺，而且尽管有所延期，但是目前该系列产品已经实现量产，当然由于与AMD之间的一些保密协议GlobalFoundries并未透露更多详情。至少在未来的12个月时间里，所有AMD未来推出的处理器产品都将基于GlobalFoundries的32纳米HKMG制造工艺，其中包括即将推出的FX系列以及AMD的下一代A系列APU处理器。
现在可能会有读者会问，到底什么是SLP和HPP啊？事实上这些都是一些字母缩写，SLP是Super Lowe Power超低功耗的缩写，这项技术可以适用于应用处理器，蜂窝基带以及各种SoC芯片，最终体现在消费电子产品上。这是一项低成本技术，同时也是为低功耗设备设计的。HPP则是High Performance Plus高性能叠加技术的缩写，它可以用于一些高性能CPU，各种的高端网络解决方案以及游戏机等。LPH则是SLP和HPP的折中方案，它是Low Power,High Performance的缩写，这一技术最近出现在了GlobalFoundries的路线图内，预计该公司将会把此技术用于笔记本电脑处理器，显卡产品，平板芯片以及机顶盒等SoC芯片上，当然其他一些广泛领域也会用到相应技术。
到2012年，GlobalFoundries预计将会首次开始量产其20纳米芯片，我们将可以看到从28纳米到20纳米的全节点过渡，同时栅极密度将会达到双倍级别，进而导致产品性能提升高达35%乃至更多。由于各种原因，GlobalFoundries将会于20纳米时代转至Gate Last技术，因为明显Gate First技术在20纳米制造工艺上并不具备优势，至少不像28纳米或者32纳米时代那样。另外GlobalFoundries的产品将从28纳米时代的三大类别压缩到两大类别 。而LPH和SLP技术也将会进化到一种叫作LPM的技术，而HPP则会过渡到SHP阶段，在这里LPM将会覆盖大部分的产品，而SHP则将会面向GlobalFoundries所谓的“极高端性能”产品，比如说芯片频率在4GHz以及更高水平的产品。在GlobalFoundries从28纳米过渡到20纳米之后，除了性能的提升之外，我们还可以看到新工艺带来其他好处 ，比如说功耗降低30%到50%。
在20纳米时代之后，GlobalFoundries的未来并不那么清晰。虽然GlobalFoundries的路线图将下一场变革指向了14纳米工艺，但是这一过渡在路线图里显示是在2014年或者2015年的，这就是说GlobalFoundries预计最早会于明年下半年在Fab 8工厂安装测试设备，该设备将采用EUV或者Extreme Ultraviolet Lithography技术，而该技术在低于20纳米的工艺上是必须的。另外GlobalFoundries还提到了3D封装，但是并未透露更多细节。
由于全球经济疲软以及市场需求不明等因素，当前的半导体代工行业应该说风险不小。不过从1980年代至今，半导体行业已经由150亿美元的规模发展到3140亿美元的规模了，而且预计未来还将继续增长，因为我们正趋向引入越来越多的互连设备。GlobalFoundries公司市场营销部门副总裁Jim Kupec提到，今天的世道对于新设备最大的推动力往往来自年轻人，虽然这可能并非全部的事实，但是目前确实越来越多的产品是针对年轻人市场的。
这就是说，GlobalFoundries并不打算完全地放慢其投资脚步，因为该公司正忙于在所有旗下的设施进行投资。就目前的情况而言，GlobalFoundries公司的纽约工厂已经提前两个月进入了“设备准备”阶段，而今年之内该公司应该可以在纽约进行试生产，当然在明年年初之前此工厂全面投产的可能性不大。另外在德国的Fab 1工厂今年早些时候也已经开始量产32纳米的AMD处理器芯片，同时其还在进行28纳米量产测试，预计在不远的将来GlobalFoundries的Fab 1工厂将可以过渡到28纳米制造工艺。在新加坡的Fab 7工厂，目前GlobalFoundries已经完成了升级，并且可以生产40纳米到65纳米的半导体芯片，并且最终该工厂还将进入到300mm晶圆领域。
当然我们事实上更关心的是GlobalFoundries的未来路线图。到2012年，GlobalFoundries预计将开始量产其28纳米产品，甚至还可以初期量产部分20纳米产品，而20纳米的初期量产应该会在美国的Fab 8工厂。更进一步上半年，GlobalFoundries预计将提升Fab 1，Fab 7以及Fab 8等工厂的产能，因为该公司预计所谓领先尖端技术（65纳米及其以下）领域的需求将会增长，而这也是GlobalFoundries希望获得70%营收比例的一个领域。
GlobalFoundries还解决了其高K金属栅极制造工艺技术领域的一些问题，此前一些外行观察者曾一直死抓这一点不放。目前GlobalFoundries已经生产出了2GHz主频的ARM Cortex-A9测试芯片，该芯片采用了其28纳米SLP技术，并且在28纳米HPP制程下该处理器甚至可以达到3GHz主频。除此之外，AMD的A系列Fusion处理器也在采用GlobalFoundries的HKMG制造工艺，而且尽管有所延期，但是目前该系列产品已经实现量产，当然由于与AMD之间的一些保密协议GlobalFoundries并未透露更多详情。至少在未来的12个月时间里，所有AMD未来推出的处理器产品都将基于GlobalFoundries的32纳米HKMG制造工艺，其中包括即将推出的FX系列以及AMD的下一代A系列APU处理器。
现在可能会有读者会问，到底什么是SLP和HPP啊？事实上这些都是一些字母缩写，SLP是Super Lowe Power超低功耗的缩写，这项技术可以适用于应用处理器，蜂窝基带以及各种SoC芯片，最终体现在消费电子产品上。这是一项低成本技术，同时也是为低功耗设备设计的。HPP则是High Performance Plus高性能叠加技术的缩写，它可以用于一些高性能CPU，各种的高端网络解决方案以及游戏机等。LPH则是SLP和HPP的折中方案，它是Low Power,High Performance的缩写，这一技术最近出现在了GlobalFoundries的路线图内，预计该公司将会把此技术用于笔记本电脑处理器，显卡产品，平板芯片以及机顶盒等SoC芯片上，当然其他一些广泛领域也会用到相应技术。
到2012年，GlobalFoundries预计将会首次开始量产其20纳米芯片，我们将可以看到从28纳米到20纳米的全节点过渡，同时栅极密度将会达到双倍级别，进而导致产品性能提升高达35%乃至更多。由于各种原因，GlobalFoundries将会于20纳米时代转至Gate Last技术，因为明显Gate First技术在20纳米制造工艺上并不具备优势，至少不像28纳米或者32纳米时代那样。另外GlobalFoundries的产品将从28纳米时代的三大类别压缩到两大类别 。而LPH和SLP技术也将会进化到一种叫作LPM的技术，而HPP则会过渡到SHP阶段，在这里LPM将会覆盖大部分的产品，而SHP则将会面向GlobalFoundries所谓的“极高端性能”产品，比如说芯片频率在4GHz以及更高水平的产品。在GlobalFoundries从28纳米过渡到20纳米之后，除了性能的提升之外，我们还可以看到新工艺带来其他好处 ，比如说功耗降低30%到50%。
在20纳米时代之后，GlobalFoundries的未来并不那么清晰。虽然GlobalFoundries的路线图将下一场变革指向了14纳米工艺，但是这一过渡在路线图里显示是在2014年或者2015年的，这就是说GlobalFoundries预计最早会于明年下半年在Fab 8工厂安装测试设备，该设备将采用EUV或者Extreme Ultraviolet Lithography技术，而该技术在低于20纳米的工艺上是必须的。另外GlobalFoundries还提到了3D封装，但是并未透露更多细节。
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