因应3D IC潮流　志圣推出创新式晶圆压膜技术

设备大厂志圣工业在2011年台湾半导体展中将针对3D IC Interposer干式制程，展示创新晶圆压膜机，以迎合未来的3D IC时代潮流。志圣表示，透过在IC载板的真空压膜技术，将其运用在半导体制程，使晶圆光阻制程中有更好的良率，节省成本，并缩短3分之1的生产时间，在矽中介层(Si-Interposer)制程中可适用于成型(Molding)、重布线(RDL)及非导电胶膜(NCF)等，可有效简化多道制程。


志圣的压膜设备量产至今已销售超过1,000台以上，该公司将于半导体展中，针对3DIC矽中介层的干式制程，展出全新自动晶圆压膜机。志圣
由于终端产品趋势走向轻薄短小，晶片封装需要缩小体积尺寸，并且讲究多功能整合需求，因此3D IC制程格外重要。随着3D封装技术发展，品质与成本问题成为产品能否大量进入商业化的关键，因此矽中介层成为关键制程，确保制程中的矽中介层晶圆良率便相形重要。

志圣将于7~9日在台湾半导体展中，展示全新的真空晶圆压膜机及电浆蚀刻机设备。志圣表示，真空晶圆压膜机在矽中介层制程及相关重新布线(RDL)技术上，可以发挥极佳的功能。在矽中介层制程中，晶圆压膜机可以完成应用于以下工序，包括以干膜替代原有的湿膜光阻(Photo Risist)功能；在UBM的工序中，以干膜做为光阻功能；在成型工序中，以干膜取代环氧树脂；在RDL工序中，以干膜取代湿式涂布；在底部填充(underfill)工序中，以干膜取代湿胶。另外，在矽中介层制程后的覆晶封装、基板黏合IC的工序中，志圣真空压膜机可以导入NCF制程中，进而减少工序及增加良率的创新制程工法。

志圣指出，3D IC的干式制程可以比湿制程快3倍的原因，在于干式压膜可以将干膜裁切得比晶圆小，在压膜后不必再做裁切边缘的制程，省去晶边清洗(EBR)的制程及时间，减少一个制程工序，也降低产生不良品的机率。

此外，志圣运用高阶的吸真空后再压膜的技术与流程，让干膜与晶圆间完全没有空隙，不会因滚轮压膜所产生空隙及气泡的不良，亦解决使用晶圆对晶圆(WTW)黏合机的溢胶和较长制程时间等问题产生。