Ramtron宣布IBM代工芯片样品进入送样/客户验证阶段

经过长时间的等待之后，铁电体内存（FRAM）厂商Ramtron公司终于宣布其委托IBM代工的首批样品验证用FRAM芯片已经制作测试完成，开始进入样件送样/客户验证阶段。





资料：Ramtron的铁电体产品存储单元结构

2009年，Ramtron与IBM公司达成代工FRAM芯片的协议，按照双方原来的计划，准备在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM样品芯片。然而，IBM公司在后来的研发制造过程中遇到许多问题，无法成功提升这款产品的产量，导致了这项计划的延迟。

上个月，Ramtron公司CEO Eric Balzer承认公司的FRAM客户已经对这次延迟感到不满，不过他表示这些客户中的大多数并不会弃Ramtron而去，同时他还表示Ramtron本身今年一季度的销售业绩也因此而受损严重。

现在他们终于渡过了最困难的时期。本周三，Balzer在一份公司声明中说：“发布FM24C04C和FM24C16C两款FRAM芯片样品对我们的新代工项目有里程碑式的意义。 ”

据Ramtron公司表示，FM24C04C和FM24C16C两款FRAM均属同一系列产品，产品采用串行I2C接口，IO电压5V，FRAM的位密度则分别为4kbit和16kbit。可为电子设备提供高性能的非易失性数据存储解决方案，公司还称其FRAM产品在写入时间，读写周期耐久性和省电性能方面相比其它的产品更胜一筹。

Ramtron公司CEO Balzer说：“这次送样的预验证用产品可以满足我们制定的性能指标要求，并符合守我们严格质量标准的要求，现在这批样品已经可以交付客户做产品验证用途。更多的FRAM产品，如3V电压，I2C接口的产品以及5V电压，SPI接口的产品则很快会在我们完成内部测试之后对外交付验证用样品。”Balzer是在今年一月份顶替辞职的前任Bill Staunton出任公司CEO的。

FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C总线接口界面，工作电流100uA（在100kHz总线工作频率下），总线接口运行频率最高可达1MHz。这两款产品将直接替代公司现有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存储芯片，被应用到工控，测量设备，医疗，军用，计算机，游戏机等应用场合。

FM24C04C和FM24C16C采用标准的8针SOIC封装形式，工作温度-40°C至+85°C，另外，Ramtron公司还宣称FM24CxxC系列产品的单字节写入时间可比EEPPROM产品快200倍左右。

2009年IBM与Ramtron达成代工协议后，IBM在其位于Burlington的芯片厂中采用Ramtron开发的制程技术为其代工FRAM产品。除了IBM之外，Ramtron还与德州仪器，日本富士通两家公司也签署了代工FRAM的合约，不过后来日本富士通由于种种原因已经被Ramtron开除出列。

CNBeta编译

原文：eetimes