中芯国际：半导体技术要追上国际水平

吴汉明创业感言
半导体芯片是抢时间的行业，我喜欢做有研究性质的前沿技术，也一直在抢时间，我希望通过中芯国际的平台，努力地在北京亦庄推动中国半导体的发展。
“痛并快乐着，如果人生再重来一次，我还是会选择这样走一遍。”说到自己的经历，吴汉明深有感触：一边是60多个发明专利、90多篇专著和论文的丰硕成果，一边是连续高强度的工作让他的体重至今未恢复，吴汉明却并不后悔。在他及团队的努力下，最新一代的32纳米产品也将在国家重大专项支持下问世，达到国际主流先进水平。
跳槽挪窝最终锁定中国
1978年，吴汉明成为“文革”后中国科学院的第一批研究生，理学硕士、工学博士学成后，留在中科院担任副研究员。1989年，被公派出国，进入美国加州大学伯克利分校攻读半导体等离子体工艺博士后。
1993年完成学业后，吴汉明回到中科院，但他发现，由于经费紧张，研发项目无法展开，一急他就直接找院长周光召，张口就要20万元。当时一个所的研究经费也往往不到几百万元。没想到，周光召给了他13万元“巨资”，吴汉明的研究拿到了国家专利，他还被破格提拔为研究员。
1995年，吴汉明到美国阿拉巴马一家公司工作，上手就是50万美元的项目，两年便研发出一套等离子体工艺模拟的软件，并成功销售。但吴汉明感觉自己接触不到最前沿的技术，于是跳槽到硅谷；1999年，“不安分”的吴汉明又加盟英特尔，但工作没有想象的顺利。
一次偶然机会，吴汉明见到中芯国际创始人张汝京，听说能“直接从当时世界最先进的0.13微米技术做起”，他感觉中国半导体真的发展起来了，到了该回去的时候了。
十年连续跨越四个技术代
“有平台，有做头。”吴汉明迫不及待地回国了，开始了他“人生中最精彩的十年”。
2001年，吴汉明担任中芯国际技术研发中心先进刻蚀部总监，负责0.13微米刻蚀工艺部分。当时国内的主流技术是铝互连，没有一家企业会做铜互连，“如果做不了铜互连，0.13微米以下的技术就做不了，就永远进不了纳米时代。当时很辛苦，经常一干就是凌晨两三点……”功夫不负苦心人，两年后，中芯国际率先在中国实现了铜互连。
之后，中芯国际的纳米技术进入了快速发展期，接连跨越四个技术代：0.13微米、90纳米、65纳米、45纳米。我国集成电路制造真正进入了纳米时代。
这当中，每个技术代都有上千道工艺，其中的大部分工艺要重新试验，“从90纳米做到65纳米的时候，试验有三万多次。一次试验成本至少几百元，总共花了十几个亿。”
不光是成本，遇到的难题也不计其数。“比如在做镍化硅技术时，卡住了，两个月，横竖都没进展。”吴汉明回忆，当时，硅谷、国内高校研究所的专家都请来了，就是没有突破，“最后在无数次反复试验下，才发现是预清洗方法不对，工艺参数没调好。”就在这样完全独立自主研发下，几百个人做了近四年才完成。
2014年32纳米产品问世
目前，这些纳米成套工艺已经显现其巨大的经济效益了，0.13微米产品累计销售30多亿元，仅一年多，65纳米技术的直接产值达5亿多元，促进设备材料等的间接产值3.8亿元，45纳米产品也即将量产。
“32纳米成套工艺技术的基本结构已经完成，希望2014年产品能问世。”吴汉明说，32纳米工艺技术将是我国半导体技术上的一个里程碑，“新一代芯片要求是工作电流增大，但漏电量要更小，而这两者是矛盾的，用传统的工艺做不下来，必须开发32纳米，用高K金属栅工艺技术，才可以实现。”吴汉明说，今年，要让65纳米产品大量提升，形成更大规模的生产，从现在的每月6000片提升到超万片；45纳米产品要实现小规模量产。
“现在与国际前沿技术差了约三年，国外32纳米生产已经初步成功，希望2014年我们做成的时候，把差距缩短到一年。”吴汉明满怀期待。