英特尔宣布将从22nm工艺开始在量产中应用3D晶体管技术

英特尔“Tri-Gate”3D晶体管技术的照片（照片：由英特尔公司提供）（点击放大）

老式平面型晶体管（左）与Tri-Gate晶体管（右）的比较（图：引自英特尔公司资料）（点击放大）

Tri-Gate技术的概要（图：引自英特尔公司资料）（点击放大）
美国英特尔公司宣布，将从22nm工艺开始在量产中应用该公司开发的名为“Tri-Gate（三栅极）”的三维（3D）晶体管技术（英文发布资料）。英特尔指出，采用3D晶体管技术后，可以实现性能高于现有晶体管技术且功耗更低的微处理器产品。英特尔高级副总裁兼技术与制造事业部总经理比尔·霍尔特（Bill Holt）表示，“通过向3D晶体管技术过渡，进一步延长摩尔定律的寿命”。

最先采用Tri-Gate的产品是名为“Ivy Bridge（开发代码）”的微处理器，利用开发代码为“Sandy Bridge”（参阅本站报道）的微架构。在新闻发布会上，英特尔现场演示了配备Ivy Bridge试制品的笔记本电脑、台式电脑以及服务器的工作情况。据英特尔执行副总裁兼英特尔架构事业部总经理浦大地（David Perlmutter）介绍，Ivy Bridge的初期产品将是面向服务器的微处理器。还预定用于台式电脑和笔记本电脑用微处理器产品中，“之后还将用于Atom（凌动）的SoC产品中”（浦大地）。据英特尔介绍，Ivy Bridge将在2011年底前完成量产准备工作。

设置三个电流通道

英特尔2002年公开了3D晶体管技术的研究成果。Tri-Gate晶体管技术基本上是在半导体基板上设置硅制“鳍”状元件。该元件被晶体管栅极环绕。由此，可在栅极与鳍之间设置三个电流通道。采用Tri-Gate晶体管技术后，半导体晶圆的制造成本将上升2～3％。

据英特尔介绍，与原来采用平面型电流通道的晶体管相比，新技术可以提高晶体管开关电流的可控性。由此，“在休眠和激活状态下，也可以降低功耗”（英特尔高级研究员Mark Bohr）。Bohr指出，与32nm工艺中使用的平面型晶体管相比，Tri-Gate晶体管的功耗可削减一半以上。

其他公司目前也在开发3D晶体管技术。对此，英特尔的Bohr表示，“从已经公开的信息来看，其他公司似乎计划将3D晶体管技术导入14nm工艺之中。我们将至少领先三年”。英特尔也会在14nm工艺中采用Tri-Gate，在22nm工艺中已经没有采用平面型晶体管技术的计划。Bohr表示，“英特尔已经在对平面型晶体管说再见”。（记者：Phil Keys，硅谷支局）