台积电：暂不考虑采用

英特尔昨（5）日宣布晶体管演进上的重大技术突破，即将在年底推出的22纳米制程及Ivy Bridge处理器，将是世界首款内含3D晶体管Tri-Gate的处理器芯片。英特尔表示，3D晶体管Tri-Gate将维持科技演进的步伐，于未来继续推动摩尔定律，且效能提升与减少耗电的空前组合，造就许多层面的创新，让未来22纳米芯片能运用在最小的手持装置，及强大的云端服务器。

对于英特尔将于22纳米跨入3D晶体管世代，台积电还不考虑采用。台积电研发资深副总经理蒋尚义指出，台积电自2003年以来就一直在研发3D晶体管，但现在相关技术的工具及设计都还不成熟，除非在20纳米以下先进制程，且2D晶体管的容量已经达到极限，否则台积电不会考虑采用3D晶体管技术。

英特尔表示，自从矽晶体管在50年前发明以来，首度采用3D立体结构的晶体管即将迈入量产，英特尔于2002年首次公开命名为Tri-Gate的革命性3D立体晶体管设计，将应用在22纳米制程芯片当中，今年底推出的Ivy Bridge次世代处理器将首度采用3D晶体管Tri-Gate且即将迈入量产。

科学家们很早便认同3D立体晶体管结构能延续摩尔定律的准确性，因为当电路尺寸微缩到一定程度时，物理定律就变成微型化的障碍。英特尔发表的突破性成果，在于英特尔有能力使创新的3D、Tri-Gate晶体管设计进入量产，使得摩尔定律能延续创新的历史步调。

根据英特尔的测试，3D晶体管能够在更低的电压下运行，对省电效率及效能提升很有帮助，如22纳米的3D晶体管在低电压模式，其效能较英特尔的32纳米平面晶体管高出37％。相较于内含2D平面晶体管的32纳米芯片，新型晶体管在维持相同效能时耗电量缩减近50％。