英特尔Tri-Gate电晶体技术导入量产　超微再度面临苦战

陈玉娟／台北 英特尔(Intel)正式宣布电晶体演进的重大突破，同时也是处理器历史性的创新，全球首款立体3闸(Tri-Gate)电晶体将进入量产阶段，并将维持科技演进的步伐，于未来继续推动摩尔定律，预计在2012年底正式登场的22奈米处理器(代号为Ivy Bridge)将是首款内含立体Tri-Gate电晶体的量产晶片。

立体3闸电晶体意味著将完全摆脱2D平面电晶体结构。迄今为止，不仅所有电脑、手机、消费电子产品，甚至连汽车、飞机、家用电器、医疗设备、以及成千上万种日常装置内的电子控制元件，在过去数十年皆使用平面结构的电晶体。

英特尔表示，电晶体乃是现代电子产品中十分微小的基础元件，自矽电晶体于50年前发明以来，英特尔于2002年首次公开命名为Tri-Gate的革命性3D立体电晶体设计，而首度采用3D立体结构的电晶体亦即将迈入量产，预计在2011年底量产的Ivy Bridge系列处理器将是第一批采用Tri-Gate电晶体的量产晶片。

值得注意的是，英特尔持续保持制程领先态势，且发布立体3闸电晶体重大突破，效能提升且成本将显著降低，已对对手超微造成极大压力，PC业者认为，毛利及获利表现远不及英特尔的超微(AMD)，虽然转型成为IC设计公司，然按代工合作! 伙伴全球晶圆(Globalfoundries)与台积电制程进度来看，后续恐怕更难与英特尔进行价格竞争。

英特尔表示，科学家很早便认同立体电晶体结构能延续摩尔定律的准确性，因为当电路尺寸微缩到一定程度时，物理定律就变成微型化的障碍，Tri-Gate电晶体设计进入量产，这不仅开启摩尔定律的新时代，更为各种装置打开一扇大门，跨入创新的新世代。

摩尔定律预测矽元件技术的发展速度，指出电晶体的密度大约每2年就会倍增，功能与效能攀升，成本则随之下滑，在过去40多年? A摩尔定律已成为半导体产业在经营上所依循的基本规律。

英特尔指出，Tri-Gate电晶体让晶片能在更低的电压下运作且降低漏电，同时也降低制造成本，22奈米的Tri-Gate电晶体在低电压模式，其效能较英特尔的32奈米平面电晶体高出37%，适用于各种迷你掌上型装置，在运作时能减少电晶体在开启/关闭反覆切换所耗费的电力，相较于内含2D平面电晶体的32奈米晶片，新型电晶体在维持相同效能时，耗电量缩减近一半。

Tri-Gate电晶体将运用在英特尔即将上线的22奈米节点，将能配合电晶体的线路尺寸，在一个英文句点大小的晶粒上就能放入超过600万个22奈米Tri-Gate电晶体。英特尔表示，Tri-Gate电晶体进入量产阶段亦将协助开发更高整合度的Atom处理器，将进一步改善整体耗电、成本及尺寸。

另一方面，英特尔除已确认2011年底将会进入代号为P1270的22奈米制程世代，代号为1272的14奈米制程则于2013年投入量产，2015年将进入代号P1274的10奈米制程世代。

据了解，22奈米制程Ivy Bridge处理器在架构上虽然变化不大，但在细节上有所精进，除将提供PCI-E 3.0支援，记忆体控制器亦升级支援DDR3-1600和DDR3L-1333，而Ivy Bridge处理器所搭配的7系列晶片组(代? 遁anther Point)，则加入USB 3.0的原生支援，可提供4个USB 3.0介面。