SiC基板专利综合实力前三位为电装、科锐、新日本制铁”

Patent Result的分析结果。（点击放大）
从事专利分析等业务的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半导体元件的SiC基板相关专利的调查结果。结果显示，日本电装在“综合实力排名”中位居首位，第二位是美国科锐，第三位是新日本制铁。Patent Result此次统计了在日本申请的SiC基板相关专利，以将单独专利的关注度得分化的“Patent Score”（截至2011年2月底的得分）为基础，从专利的质和量两个方面进行了综合评价。

据Patent Result介绍，前三强企业的共同点是SiC基板相关专利较多。位居首位的电装的特点是，与丰田中央研究所共同申请的“a面生长”专利获得了较高评价。位居第二的科锐的特点是，缺陷密度专利等获得的评价较高。据介绍，两公司在外延基板方面同样拥有评价较高的专利。而位居第三的新日本制铁的特点是，SiC锭相关专利获得了较高评价。

位居第四的丰田中央研究所在此次调查中统计的所有专利都是与电装共同申请的。位居第五的住友电气工业与从该公司独立出来的风险企业Sixon共同申请的专利获得了较高评价。据Patent Result介绍，如果算上住友电气工业的子公司日新电机的专利，其得分高于位居第四的丰田中央研究所。

此外，除了科锐之外，还有些海外企业虽然在SiC基板领域申请的专利数量不多，但却拥有评价较高的专利。例如，美国二六（II-IV）公司、瑞典Norstel以及罗姆收购的德国SiCrystal公司。中国也有天科合达蓝光半导体有限公司，这是一家生产及销售SiC基板的企业，但未在日本申请专利。（记者：根津 祯）