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[导读]深紫外光(EUV)技术是次世代微影技术之一,其他还还包括无光罩多重电子束、浸润式微影多重曝光技术等,EUV技术主要的开发商是设备大厂爱司摩尔(ASML),当半导体制程技术走入20奈米或是10奈米以下,现有的浸润式曝光(I

深紫外光(EUV)技术是次世代微影技术之一,其他还还包括无光罩多重电子束、浸润式微影多重曝光技术等,EUV技术主要的开发商是设备大厂爱司摩尔(ASML),当半导体制程技术走入20奈米或是10奈米以下,现有的浸润式曝光(Immersion Scanner)机台就不敷使用,必须进转到下一世代的微影技术。

浸润式曝光机台是在光源与晶圆中间加入水的原理,使波长缩短到132奈米的微影技术,EUV曝光设备是利用波长极短的紫外线,在硅基板上刻出更微细的电路图案。

目前支持EUV技术阵营包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、台积电、东芝(Toshiba)、全球晶圆(Global Foundries)等,其中台积电除了EUV技术之外,也投入无光罩多重电子束制程开发,显然是多方技术压宝;而台系DRAM厂中,目前仅有瑞晶决定采购EUV机台,预计2012年机台设备才会到位,届时时间点当好赶上转进20奈米制程。

目前EUV机台最为人诟病之处在于成本价格太高,加上光罩与外围材料设备成本也相当高,对晶圆厂是很大的成本负担,业者希望未来机台成熟度高、光罩及光阻等技术改进下能降低成本售价。

过去1台浸润式曝光机售价约新台币10~15亿元,现在1台EUV机台售价? O浸润式曝光机的2~3倍,约1亿美元,且= x设备恐怕只能用来转换1万片的12吋晶圆,现在1座12吋晶圆厂少则3~5万片,多则12~15万片,未来转进20奈米制程的代价相当贵。

ASML投入EUV机台技术的开发费用已超过10亿欧元,第1代EUV机台NXE3100已陆续出货,预计2012年将推出量产型机台NEX3300。(连于慧)



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