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台积电业绩出色，2010年中期将建设7nm级为止的旗舰工厂
时间：2010-05-11 06:59:00
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[导读]台湾台积电（TSMC）的日本法人台积电日本2010年5月7日召开了记者座谈会，介绍了台积电2010年第一季度（1～3月）的业绩。“第一季度的业绩超过了我们的预期。以尖端工艺为主，半导体需求增强，订单量超过本公司生产能
台湾台积电（TSMC）的日本法人台积电日本2010年5月7日召开了记者座谈会，介绍了台积电2010年第一季度（1～3月）的业绩。“第一季度的业绩超过了我们的预期。以尖端工艺为主，半导体需求增强，订单量超过本公司生产能力30～40％。我们将提前启动最初的计划，全力推进设备投资”（台积电日本代表董事社长小野寺诚）。预计台积电2010年第二季度（4～6月）将继续保持出色业绩，该季度的销售额“预计为1000亿～1020亿台币，将创历史最高纪录”（小野寺）。另外，该公司采用28nm以后工艺的旗舰工厂“Fab15”将于2010年中期在台湾台中动工建设。
台积电目前正在扩大该公司的最尖端工艺——40nm级工艺产品的生产能力。2010年第一季度，40nm级工艺产品的销售额占有率为14％，突破了两位数大关。主力工厂“Fab12”（新竹）及“Fab14”（台南）的产能规模均达到了10万枚/月。关于28nm级工艺产品，“客户的微细化计划步伐比我们预期的要快”（小野寺），目前客户企业已达20多家。该公司计划2010年以尖端工艺为主投入48亿美元用于设备投资，仅第一季度就投资了14亿4400万美元。“第二季度以后也不会减缓设备投资速度，还可能追加年度投资额”（小野寺）。
该公司决定开始动工建设Fab15工厂就是为了应对大量的业务订单。该工厂是台积电继Fab12及Fab14之后的第3个“上十亿级别的工厂（晶圆处理能力超过10万枚/月的300mm晶圆工厂）”。首先，该旗舰工厂将开始量产40nm级工艺产品，并负责生产大半28nm级工艺产品。另外，还计划使其成为“瞄准20nm、14nm、10nm及到7nm为止工艺的中长期战略生产基地”（小野寺）。（记者：大下 淳一）
台积电目前正在扩大该公司的最尖端工艺——40nm级工艺产品的生产能力。2010年第一季度，40nm级工艺产品的销售额占有率为14％，突破了两位数大关。主力工厂“Fab12”（新竹）及“Fab14”（台南）的产能规模均达到了10万枚/月。关于28nm级工艺产品，“客户的微细化计划步伐比我们预期的要快”（小野寺），目前客户企业已达20多家。该公司计划2010年以尖端工艺为主投入48亿美元用于设备投资，仅第一季度就投资了14亿4400万美元。“第二季度以后也不会减缓设备投资速度，还可能追加年度投资额”（小野寺）。
该公司决定开始动工建设Fab15工厂就是为了应对大量的业务订单。该工厂是台积电继Fab12及Fab14之后的第3个“上十亿级别的工厂（晶圆处理能力超过10万枚/月的300mm晶圆工厂）”。首先，该旗舰工厂将开始量产40nm级工艺产品，并负责生产大半28nm级工艺产品。另外，还计划使其成为“瞄准20nm、14nm、10nm及到7nm为止工艺的中长期战略生产基地”（小野寺）。（记者：大下 淳一）
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