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[导读]东芝成功形成了14nm半间距(HP,Half Pitch)图案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋横滨会展中心举行)的海报展上公开。系采用现有的EUV装置,以双重图形制作工艺试制而成。 东芝的相关人

东芝成功形成了14nm半间距(HP,Half Pitch)图案的照片在“Photomask Japan 2010”(4月13日~15日在太平洋横滨会展中心举行)的海报展上公开。系采用现有的EUV装置,以双重图形制作工艺试制而成。

东芝的相关人士称,因来不及报名Photomask Japan 2010的演讲,只公开了一张投影。东芝预定在其他学会等发布,虽然不清楚详情,但似为一次曝光两次蚀刻工艺。

人们普遍认为,EUV用装置的价格高于ArF用装置。如果能通过双重图形制作工艺延长装置寿命,则有望提高竞争力。(记者:小岛 郁太郎)


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