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晶圆双雄再掀12寸厂投资潮业界担忧恐造成产能过剩

时间：2010-02-05 21:54:00

关键字：晶圆联电台积电 40纳米

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[导读]继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45／40纳米世代

继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45／40纳米世代占营收比重将增加，同时良率已很稳健。值得注意的是，台积电、联电纷上看2010年晶圆代工产业将成长3成，乐观预期公司可望同步跟著成长，并加码资本支出，透露在两大龙头厂带领下，将再度掀起12寸厂投资热潮。

孙世伟表示，对于2010年展望非常乐观，预估半导体产业可望成长13~15%，晶圆专工产业成长率可达25~28%，对于联电2010年营运将有非常乐观预期，为因应客户对于产能及高阶技术强劲需求，将提高2010年资本支出至12亿~15亿美元。半导体业者认为，联电2010年可望跟著晶圆代工产业成长脚步，同步成长3成，与台积电预估2010年成长幅度相当。

事实上，台积电日前公布2010年资本支出达48亿美元，较2009年约暴增7成，联电3日预估2010年资本支出12亿~15亿美元，亦较业界所估10亿美元为高，半导体业者认为，台积电、联电纷积极扩产，借以抢攻市占率。联电则表示，将会在市占率与股东权益报酬率之间，取得最佳平衡。

针对2010年资本支出，孙世伟强调，主要用于建置高阶制程产能，包括南科Fab12A厂45／40纳米制程产能，以及持续导入28纳米技术研发及试产设备，以及新加坡Fab12i厂大幅扩充65／55纳米制程产能等。此外，联电Fab12A厂第3期无尘室相关设施与机台装置时程，将同步加速就绪，并进行弹性扩充。

不过，业界担忧晶圆双雄纷加大投资力道，恐造成产能过剩，孙世伟对此表示，联电经过整体评估，投资12亿~15亿美元风险已相对较低，由于先进制程投资甚钜，摩尔定律可能演进趋缓，因此，针对投资力道与时机点，联电确实已相当谨慎。此外，全球经济复苏步调的持续性，以及美国、大陆相继考虑调控措施，对后续景气造成效应，仍有待观察。

此外，联电表示，2009年第4季65纳米制程比重已占整体营收约17%，2010年比重将持续成长，同时45／40纳米世代在上半年将可见到约达个位数营收比重贡献。联电自行研发的高效能40纳米逻辑制程，目前已有超过10家客户，涵盖高阶消费性电子、通讯、手机与硬碟各应用领域，较65纳米还提前1季通过全生产验证，且良率已稳定到可晶圆计价出货。