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[导读]随著联电、中芯等竞争者45纳米制程推展进程加快,晶圆代工龙头台积电决定扩大投资力道,全面拉开与竞争对手差距,台积电计划南、北开攻,启动新竹、南科12寸晶圆厂全新扩产计画,总投资额将上看60亿美元,预计2010年

随著联电、中芯等竞争者45纳米制程推展进程加快,晶圆代工龙头台积电决定扩大投资力道,全面拉开与竞争对手差距,台积电计划南、北开攻,启动新竹、南科12寸晶圆厂全新扩产计画,总投资额将上看60亿美元,预计2010年下半起展开装机。由于台积电先进制程扩产及良率将成为2010年重点营运主轴,亦将牵动内部人事异动,业界传出负责先进制程营运的副总刘德音,极可能擢升为空缺许久的营运长(COO)。不过,台积电26日并未证实上述说法。

半导体业者表示,中芯在上海技术论坛宣布45纳米制程近日即将投产,加上联电扩大布建新加坡生产基地Fab 12i在45/40纳米制程产能,迫使向来在先进制程领先的台积电,不得不扩大投资力道,以保持在产能与技术领先,并稳住晶圆代工一哥地位。因此,台积电本周将登场的法说会上,预料将宣布对2010年资本支出走向看法,其中,12寸厂扩建将是众所瞩目焦点,且预料台积电11月董事会亦将针对扩产及资本预算进行讨论。

半导体设备业者指出,台积电2010年资本支出将达30亿美元,其中有部分资金将投入新一波12寸厂扩产计画,台积电整个12寸晶圆厂扩产计画规模相当惊人,将同时启动新竹、南科12寸厂超大晶圆厂(GigaFab)扩产,包括新竹Fab 12第5期,以及南科Fab 14第4期,总投资金额估计可能上看60亿美元。

半导体业者指出,近期台积电Fab 12第5期已悄悄完成整地,预计2010年起开始兴建厂房,待厂办与无尘室工程完成后,2010年10月可望进行装机;至于南科12寸厂Fab 14第4期亦预计在2010年底导入机器设备,预计2座厂产能各约单月3.5万片,并将投入45/40纳米以下制程技术研发及生产。

事实上,联电自2009年第3季起于台南12寸厂Fab 12A展开45/40纳米制程投片,为大客户赛灵思(Xilinx)代工可程序逻辑闸阵列(FPGA)芯片,联电为扩大产能,并抢攻市场占有率,亦将在新加坡生产基地Fab 12i积极启动扩产计画。设备业者表示,目前包括德仪(TI)、恩威迪亚(NVIDIA)、超微(AMD)都有相关合作案,手机芯片大厂英飞凌 (Infineon)及联发科亦有进入45/40纳米制程计画,这让台积电必须得加速先进制程扩产脚步。

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