Mobile DRAM市场供应持续紧缺 原厂更有成本优势

由于NAND Flash与DRAM的生产设备差异不大，上游芯片厂DRAM与NAND Flash产线会按照市场的供需及价格的变化而转换生产。以下是原厂存储工艺状况。

目前全球Mobile DRAM主要供应商仅限于三星、尔必达(美光)、SK 海力士三家，尔必达的产能需要配合美光嵌入式存储eMCP在手机中的应用，三星的产能要满足自家的智能型手机需求，Mobile DRAM市场供应量一直表现紧缺。特别2013年开始智能型手机移动处理器进入四核世代，推动Mobile DRAM平均容量由1GB/2GB向2GB/4GB提升，对Mobile DRAM产能的消耗量增加了一倍，同时Mobile DRAM的销售利润又比NAND Flash高不少，三星、SK 海力士等更趋向于把NAND Flash生产线改生产Mobile DRAM。产能在2014年得到体现。

2013与2014年原厂DRAM的变化：　

单片WAFER 2xnm的DRAM比3xnm 的产量提高45% 左右。在2014年的DRAM市场，原厂更有成本优势，如果市场有变化的时候，DRAM价格将有较大的下跌空间。

NAND Flash与DRAM产品对比表


SAMSUNG 19nm的NAND FLASH 销售不到USD1500，而2xnm的DRAM销售在USD4000，原厂存储芯片摊提折旧毛利润材料成本= USD1500，可以看出NAND FLASH经过3个月连续跌价后会基本稳定，DRAM维持如此高的利润，在持续原厂供应产能和市场疲软的情况下，未来预计将会有更多的变化。