[导读]“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关
“十二五”规划出台以后,国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视,同时,“节能减排”工作也深入开展,中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件,受到了国家的重视,近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件,具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点,广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中,是目前发展最为迅速的新一代功率器件。
本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
Holtek持续精进电磁炉产品技术开发,再推出更具性价比的电磁炉Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相较于前代产品提供更丰富的资源,如硬件辅助UL认证功能、硬件I²C可与面板通信及过电流保护及...
关键字:
电磁炉
MCU
IGBT
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等),它具有检测、整流、放大、开关、稳压和信号调制等多种功能。作为交流断路器,晶体管可以根据输入电压控制输出电流。
关键字:
抗饱和晶体管
晶体管
半导体器件
【2024年4月10日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002,扩展了其XDP™数字功率保护控制器系列...
关键字:
控制器
晶体管
5G
恒流源电路作为电子技术中的一个重要组成部分,其稳定性和可靠性对电路的性能和设备的运行具有至关重要的作用。随着科技的不断发展,恒流源电路的形式和应用领域也在不断拓展和深化。本文将详细探讨恒流源电路的几种主要形式及其主要应用...
关键字:
恒流源电路
电子技术
晶体管
随着信息技术的飞速发展,数字电路已成为现代电子设备不可或缺的核心组成部分。在数字电路中,数字晶体管作为一种重要的开关元件,发挥着至关重要的作用。本文将详细探讨数字晶体管的基本概念、工作原理、主要类型、应用领域以及未来发展...
关键字:
数字电路
晶体管
开关元件
SPM31 智能功率模块 (IPM) 用于三相变频驱动应用,能实现更高能效和更佳性能
关键字:
功率模块
IGBT
晶体管
Holtek针对电磁炉应用领域,新推出HT45F0006/HT45F0036电磁炉Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供电磁炉所需的硬件保护电路,如电压/电流浪涌保护、IGBT过压保护、过电流保护...
关键字:
电磁炉
MCU
IGBT
【2024年1月25日,德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX /OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新...
关键字:
MOSFET
氮化镓
晶体管
IGBT模块在电力电子领域中扮演着重要的角色,它是一种基于绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)的功率模块。IGBT模块的作用是将电能进行转换和控制,广泛应用于电机驱动、电...
关键字:
IGBT模块
电力电子
晶体管
功率器件在储能变流器(PCS)上的应用,双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路,推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器,推荐瑞森半导体IGBT系列。
关键字:
储能变流器
储能
IGBT
超结MOS
业内消息,近日台积电在IEDM 2023会议上制定了提供包含1万亿个晶体管的芯片封装路线,来自单个芯片封装上的3D封装小芯片集合,与此同时台积电也在开发单个芯片2000亿晶体管,该战略和英特尔类似。
关键字:
台积电
1nm
晶体管
芯片封装
毋庸置疑的是,与“摩尔定律”紧密相关单芯片晶体管数量和工艺几何尺寸演进正在迎来一个“奇点时刻”。与此同时,终端应用的高算力需求依然在不断推高单芯片Die尺寸,在光罩墙的物理性制约之下,众多芯片设计厂商在芯片工艺与良率的流...
关键字:
晶体管
芯片设计
算力
在今年9月,英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板,并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案,从而使单个封装内的晶体管数量不断增加,继续推动摩尔定律,满足以数据为中心的应用的算力需求。
关键字:
玻璃基板
晶体管
算力
Oct. 18, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询统计,2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政...
关键字:
功率元件
MOSFET
IGBT
业内消息,上周北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队研究出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管,该技术可使碳纳米晶体管工艺高度集成,并在该基础上探索将碳基晶体管进一步缩减到 10nm 节点的可能性。
关键字:
90nm
晶体管
2023 年 9 月 6 日,中国 ——意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓 (GaN) 晶体管栅极驱动器,新产品 STGAP2GS缩小了芯片尺寸,降低了物料清单成本,能够满足应用对宽禁带芯片的能效以及安全性和电...
关键字:
氮化镓
晶体管
栅极驱动器
(全球TMT2023年8月14日讯)第18届中国研究生电子设计竞赛(研电赛)全国总决赛暨颁奖典礼落幕。今年,来自全国53所高校的90支参赛队伍报名了由德州仪器 (TI) 提供的企业命题,通过德州仪器行业先进的技术方案与...
关键字:
电子设计竞赛
德州仪器
IGBT
实时控制
绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。它不仅综合了双极型晶体管(Bipolar Junction Tran...
关键字:
绝缘栅双极晶体管
IGBT
半导体